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Charge trapping effect in HfO2-based high-k gate dielectric stacks after heavy ion irradiation: The role of oxygen vacancy
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2019, 卷号: 459, 页码: 143-147
作者:
Li, Zongzhen
;
Liu, Tianqi
;
Bi, Jinshun
;
Yao, Huijun
;
Zhang, Zhenxing
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2022/01/19
High-k HfO2
Heavy ion irradiation
Reliability
Charge trapping
Oxygen vacancy
Latent Reliability Degradation of Ultrathin Amorphous HfO2 Dielectric After Heavy Ion Irradiation: The Impact of Nano-Crystallization
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 卷号: 40, 期号: 10, 页码: 1634-1637
作者:
Li, Zongzhen
;
Liu, Jie
;
Zhai, Pengfei
;
Liu, Tianqi
;
Bi, Jinshun
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2022/01/19
HfO2
heavy ion irradiation
reliability degradation
crystallization
The total ionizing dose effects of X-ray irradiation on graphene/Si Schottky diodes with a HfO2 insertion layer
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 100, 期号: 9, 页码: 1-5
作者:
Xu, YN (Xu, Yannan)[ 1,2 ]
;
Bi, JS (Bi, Jinshun)[ 1,2 ]
;
Li, YD (Li, Yudong)[ 3 ]
;
Xi, K (Xi, Kai)[ 1 ]
;
Fan, LJ (Fan, Linjie)[ 4 ]
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2020/01/19
A Single Event Upset Tolerant Latch Design
期刊论文
Microelectronics Reliability, 2018
作者:
Haibin Wang
;
Xixi Dai
;
Yangsheng Wang
;
Issam Nofal
;
Li Cai
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/04/12
Study of γ-ray irradiation influence on TiN/HfO 2 /Si MOS capacitor by C-V and DLTS
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2018
作者:
Yun Li
;
Yao Ma
;
Wei Lin
;
Peng Dong
;
zhimei Yang
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2019/04/18
The Impacts of Heavy Ion Energy on Single Event Upsets in SOI SRAMs
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018
作者:
Song Gu
;
Jie Liu
;
Jinshun Bi
;
Fazhan Zhao
;
zhangang Zhang
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/04/12
The Impacts of Heavy Ion Energy on Single Event Upsets in SOI SRAMs
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 页码: 1091-1100
作者:
Gu, Song
;
Liu, Jie
;
Bi, Jinshun
;
Zhao, Fazhan
;
Zhang, Zhangang
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2018/07/16
Energy dependence
heavy ions
nuclear reactions
silicon-on-insulator (SOI) technology
single event upset (SEU)
Study of gamma-ray irradiation influence on TiN/HfO2/Si MOS capacitor by C-V and DLTS
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: Vol.120, 页码: 313-318
作者:
Li, Yun
;
Ma, Yao
;
Lin, Wei
;
Dong, Peng
;
Yang, Zhimei
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/02/25
TiN/HfO2/Si MOS capacitor
gamma-ray irradiation
Oxide trapped and interface trapped
C-V
DLTS
Study of gamma-ray irradiation influence on TiN/HfO2/Si MOS capacitor by C-V and DLTS
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: Vol.120, 页码: 313-318
作者:
Li, Yun
;
Ma, Yao
;
Lin, Wei
;
Dong, Peng
;
Yang, Zhimei
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/26
TiN/HfO2/Si
MOS
capacitor
gamma-ray
irradiation
Oxide
trapped
and
interface
trapped
C-V
DLTS
Development of single-event-effects analysis system at the IMP microbeam facility
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2017, 卷号: 404, 页码: 250-253
作者:
Du, Guanghua
;
Bi, Jinshun
;
Ma, Shuyi
;
Liu, Xiaojun
;
Sheng, Lina
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2018/05/31
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