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全无机钙钛矿CVD制备方法及光电器件的研制
学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:
田灿灿
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/08/24
化学气相沉积
全无机钙钛矿
光电探测器
自驱动
热稳定性
p-i-n结构
Schottky接触
Dramatically enhanced photoelectrochemical properties and transformed p/n type of g-C3N4 caused by K and I co-doping
期刊论文
ELECTROCHIMICA ACTA, 2019, 卷号: 297, 页码: 488-496
作者:
Jing, Jiangping
;
Chen, Zhuoyuan
;
Feng, Chang
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2019/08/27
Graphitic carbon nitride p/n type
Fermi level
K&I co-doping
Photoelectrochemical performance
Low-Power, High-Sensitivity Temperature Sensor Based on Ultrathin SOI Lateral p-i-n Gated Diode
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.9, 页码: 4001-4007
作者:
Guoli Li
;
Nicolas André
;
Qi Chen
;
Huiru Wang
;
Laurent A. Francis
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/13
Temperature sensors
P-i-n diodes
Sensitivity
Temperature measurement
Logic gates
Linearity
Linearity
low power
p-i-n diode
sensitivity
SOI
thermal sensing (temperature sensor)
Low-Power, High-Sensitivity Temperature Sensor Based on Ultrathin SOI Lateral p-i-n Gated Diode
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 卷号: Vol.66 No.9, 页码: 4001-4007
作者:
Li, GL
;
Andre, N
;
Chen, Q
;
Wang, HR
;
Francis, LA
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/17
Linearity
low power
p-i-n diode
sensitivity
SOI
thermal sensing (temperature sensor)
Room-Temperature and Aqueous Solution-Processed Two-Dimensional TiS2 as an Electron Transport Layer for Highly Efficient and Stable Planar n-i-p Perovskite Solar Cells
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 卷号: 10, 期号: 17, 页码: 14796-14802
作者:
Huang, Peng
;
Yuan, Ligang
;
Zhang, Kaicheng
;
Chen, Qiaoyun
;
Zhou, Yi
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2019/04/09
Planar N-i-p Perovskite Solar Cells
Uvo-treated 2d Tis2
Electron Transport Layer
Room-temperature And Aqueous Solution Processed
A diode based on a chemically-doped SWCNT
期刊论文
NEW CARBON MATERIALS, 2018, 卷号: 33, 期号: 5, 页码: 476-480
作者:
Song Chuan-juan
;
Yang Jun-ru
;
Liao Cheng-hao
;
Liu Xiao-dong
;
Wang Ying
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/11
SWCNT
p-i-n junction diode
Locally chemical doping
Rectification
characteristic
The Influence of n-AlGaN Inserted Layer on the Performance of Back-Illuminated AlGaN-Based p-i-n Ultraviolet Photodetectors
期刊论文
Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2018, 卷号: 215, 期号: 2, 页码: 5
作者:
Chen, Y. R.
;
Zhang, Z. W.
;
Li, Z. M.
;
Jiang, H.
;
Miao, G. Q.
收藏
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浏览/下载:0/0
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提交时间:2019/09/17
AlGaN
inserted layers
p-i-n structures
ultraviolet photodetectors
suppression
diodes
Materials Science
Physics
High performance back-illuminated MIS structure AlGaN solar-blind ultraviolet photodiodes
期刊论文
Journal of Materials Science-Materials in Electronics, 2018, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 9077-9082
作者:
Han, W. Y.
;
Zhang, Z. W.
;
Li, Z. M.
;
Chen, Y. R.
;
Song, H.
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/09/17
p-i-n
photodetectors
template
films
Engineering
Materials Science
Physics
Diblock Copolymer PF-b-PDMAEMA as Effective Cathode Interfacial Material in Polymer Solar Cells
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2017, 卷号: 9, 期号: 49, 页码: 42961-42968
作者:
Yuan, Ligang
;
Li, Jie
;
Wang, Zhao-wei
;
Huang, Peng
;
Zhang, Kai-cheng
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2019/04/09
Alcohol Soluble
Diblock Copolymer
P-i-n Polymer Solar Cells
Cathode Interfacial Layer
Pf15-b-pdmaema(75)
Ptb7-th
Water-Soluble 2D Transition Metal Dichalcogenides as the Hole-Transport Layer for Highly Efficient and Stable p-i-n Perovskite Solar Cells
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2017, 卷号: 9, 期号: 30, 页码: 25323-25331
作者:
Huang, Peng
;
Wang, Zhaowei
;
Liu, Yanfeng
;
Zhang, Kaicheng
;
Yuan, Ligang
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2018/05/02
P-i-n Perovskite Solar Cells
2d Transition Metal Dichalcogenides
Hole-transport Layer
1t Phase
Improved Stability
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