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半导体研究所 [63]
内容类型
期刊论文 [63]
发表日期
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2010 [6]
2009 [6]
2008 [1]
2007 [3]
2006 [7]
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内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
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Selenium-doped silicon-on-insulator waveguide photodetector with enhanced sensitivity at 1550 nm
期刊论文
Ieee photonics technology letters, 2011, 卷号: 23, 期号: 20, 页码: 3
作者:
Mao, Xue
;
Han, Peide
;
Gao, Lipeng
;
Mi, Yanhong
;
Hu, Shaoxu
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2019/05/12
Deep level, photodetector
Responses at subbandgap wavelength
Selenium ion implantation
Silicon waveguide
Infrared response of the lateral pin structure of a highly titanium-doped silicon-on-insulator material
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 4
作者:
Ma Zhi-Hua
;
Cao Quan
;
Zuo Yu-Hua
;
Zheng Jun
;
Xue Chun-Lai
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2019/05/12
Infrared response
Ion implantation
Rapid thermal annealing
Intermediate band solar cell
Ordered inas nanodots formed on the patterned gaas substrate by molecular beam epitaxy
期刊论文
Materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 108-113
作者:
Jin, Lan
;
Zhou, Huiying
;
Qu, Shengchun
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:99/0
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提交时间:2019/05/12
Patterned substrate
Ion implantation
Ordered nanodots
Anodic aluminum oxide
The impact of annealing temperature on the structural and magnetization properties of sm implanted gan films
期刊论文
Materials letters, 2011, 卷号: 65, 期号: 4, 页码: 667-669
作者:
Sun, Lili
;
Liu, Chao
;
Li, Jianming
;
Wang, Junxi
;
Yan, Fawang
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/05/12
Diluted magnetic semiconductors (dmss)
Ion implantation
Room-temperature ferromagnetic properties
Ordered InAs nanodots formed on the patterned GaAs substrate by molecular beam epitaxy
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 108-113
Jin, L
;
Zhou, HY
;
Qu, SC
;
Wang, ZG
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浏览/下载:91/0
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提交时间:2012/02/06
Patterned substrate
Ion implantation
Ordered nanodots
Anodic aluminum oxide
QUANTUM DOTS
ISLANDS
GROWTH
SEMICONDUCTORS
NANOSTRUCTURES
COMPUTATION
INGAAS
Infrared response of the lateral PIN structure of a highly titanium-doped silicon-on-insulator material
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 106104
Ma, ZH
;
Cao, Q
;
Zuo, YH
;
Zheng, J
;
Xue, CL
;
Cheng, BW
;
Wang, QM
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2012/02/06
infrared response
ion implantation
rapid thermal annealing
intermediate band solar cell
PHOTODIODE
Influence of high-dose nitrogen implantation on the positive charge density of the buried oxide of silicon-on-insulator wafers
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: article no.56104
作者:
Yu F
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浏览/下载:93/6
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提交时间:2011/07/06
separation by oxygen implantation
buried oxide
nitrogen implantation
positive charge density
RADIATION HARDNESS
IMPLANTING NITROGEN
ION-IMPLANTATION
IMPROVEMENT
TECHNOLOGY
OXYGEN
LAYER
Effect of annealing process on the surface roughness in multiple Al implanted4H-SiC
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 7, 页码: 72002
Wu, Hailei
;
Sun, Guosheng
;
Yang, Ting
;
Yan, Guoguo
;
Wang, Lei
;
Zhao, Wanshun
;
Liu, Xingfang
;
Zeng, Yiping
;
Wen, Jialiang
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2012/06/14
Aluminum
Annealing
Ion implantation
Pressure effects
Semiconducting silicon compounds
Silicon carbide
Surface roughness
The impact of annealing temperature on the structural and magnetization properties of Sm implanted GaN films
期刊论文
materials letters, 2011, 卷号: 65, 期号: 4, 页码: 667-669
作者:
Liu C
收藏
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浏览/下载:63/7
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提交时间:2011/07/05
Diluted magnetic semiconductors (DMSs)
Ion implantation
Room-temperature ferromagnetic properties
ROOM-TEMPERATURE
Optical properties of mn+ doped gaas
期刊论文
Optoelectronics and advanced materials-rapid communications, 2010, 卷号: 4, 期号: 6, 页码: 784-787
作者:
Zhou, Huiying
;
Qu, Shengchun
;
Liao, Shuzhi
;
Zhang, Fasheng
;
Liu, Junpeng
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/05/12
Photoluminescence
Ion implantation
Manganese
Gaas
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