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半导体研究所 [48]
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期刊论文 [42]
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学科主题
半导体材料 [48]
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学科主题:半导体材料
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Numerical simulation of two-dimensional electron gas characteristics of a novel (InxAl1-xN/AlN)MQWs/GaN high electron mobility transistor
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2014, 卷号: 605, 页码: 113-117
Li, W
;
Wang, XL
;
Qu, SQ
;
Wang, Q
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Peng, EC
;
Hou, X
;
Wang, ZG
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2015/03/25
Two-dimensional electron and hole gases in InxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN heterostructure for enhancement mode operation
期刊论文
journal of applied physics, 2014, 卷号: 116, 期号: 5, 页码: 054502
Yan, JD
;
Wang, XL
;
Wang, Q
;
Qu, SQ
;
Xiao, HL
;
Peng, EC
;
Kang, H
;
Wang, CM
;
Feng, C
;
Yin, HB
;
Jiang, LJ
;
Li, BQ
;
Wang, ZG
;
Hou, X
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2015/03/25
Bonding InGaAsP/ITO/Si Hybrid Laser With ITO as Cathode and Light-Coupling Material
期刊论文
ieee photonics technology letters, 2012, 卷号: 24, 期号: 8, 页码: 712-714
Hong, T
;
Li, YP
;
Chen, WX
;
Ran, GZ
;
Qin, GG
;
Zhu, HL
;
Liang, S
;
Wang, Y
;
Pan, JQ
;
Wang, W
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/03/17
Determination of the transport properties in 4H-SiC wafers by Raman scattering measurement
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.33301
作者:
Liu XF
;
Yan GG
;
Zheng L
;
Dong L
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浏览/下载:37/3
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提交时间:2011/07/05
4H-SiC
Raman scattering
LOPC modes
transport properties
SILICON-CARBIDE
LIGHT
GAP
An intermediate-band-assisted avalanche multiplication in InAs/InGaAs quantum dots-in-well infrared photodetector
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 7, 页码: article no.73504
Lin L
;
Zhen HL
;
Zhou XH
;
Li N
;
Lu W
;
Liu FQ
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浏览/下载:40/5
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提交时间:2011/07/05
DETECTORS
RESPONSIVITY
Behavioural investigation of InN nanodots by surface topographies and phase images
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 44, 页码: 445306
Deng, QW
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Yin, HB
;
Chen, H
;
Lin, DF
;
Li, JM
;
Wang, ZG
;
Hou, X
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/01/06
QUANTUM DOTS
SOLAR-CELLS
GROWTH
FILMS
GAN
Comparison of as-grown and annealed GaN/InGaN:Mg samples
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 345101
Deng QW
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yin HB
;
Chen H
;
Lin DF
;
Jiang LJ
;
Feng C
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Hou X
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/01/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
BAND-GAP
MG
PHOTOLUMINESCENCE
INGAN
DEPENDENCE
STRAIN
ENERGY
INN
An investigation on InxGa1-xN/GaN multiple quantum well solar cells
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 26, 页码: art. no. 265103
作者:
Yin HB
;
Lin DF
;
Hou QF
;
Deng QW
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浏览/下载:36/2
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提交时间:2011/07/07
FUNDAMENTAL-BAND GAP
PHASE-SEPARATION
EFFICIENCY
INN
EMISSION
LAYERS
MODEL
Computational Investigation of InxGa1-xN/InN Quantum-Dot Intermediate-Band Solar Cell
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: article no.18401
作者:
Deng QW
;
Hou QF
;
Bi Y
;
Yin HB
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浏览/下载:41/5
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提交时间:2011/07/05
EFFICIENCY
Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type GaN
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.102104
作者:
Deng QW
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浏览/下载:47/5
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提交时间:2011/07/05
QUANTUM-WELL-STRUCTURE
ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURE
YELLOW LUMINESCENCE
DEEP LEVELS
TRAP
PERFORMANCE
FREQUENCY
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