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科研机构
半导体研究所 [9]
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期刊论文 [9]
发表日期
2011 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2006 [2]
2005 [1]
2003 [2]
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学科主题
半导体物理 [9]
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学科主题:半导体物理
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Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
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浏览/下载:32/2
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提交时间:2011/07/05
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Influence of AlN Buffer Thickness on GaN Grown on Si(111) by Gas Source Molecular Beam Epitaxy with Ammonia
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4097-4100
Lin, GQ
;
Zeng, YP
;
Wang, XL
;
Liu, HX
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/03/08
RHEED
INTERLAYER
PRESSURE
NITRIDES
LAYERS
MBE
MBE growth of very short period InAs/GaSb type-II superlattices on (001) GaAs substrates
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 21, 页码: 6690-6693
Hao RT (Hao Ruiting)
;
Xu YQ (Xu Yingqiang)
;
Zhou ZQ (Zhou Zhiqiang)
;
Ren ZW (Ren Zhengwei)
;
Ni HQ (Ni Haiqiao)
;
He ZH (He Zhenhong)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2010/03/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Growth and magnetic properties of zincblende CrSb epilayers on relaxed and strained (In, Ga)As buffers
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 493-496
作者:
Zheng YH
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浏览/下载:204/0
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提交时间:2010/04/11
ROOM-TEMPERATURE FERROMAGNETISM
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
MULTILAYER
CRAS
Growth of thicker zinc-blende CrSb layers by using (In,Ga)As buffer layers
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.093902
Deng JJ
;
Zhao JH
;
Bi JF
;
Niu ZC
;
Yang FH
;
Wu XG
;
Zheng HZ
收藏
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浏览/下载:99/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
ROOM-TEMPERATURE FERROMAGNETISM
SPINTRONICS
MULTILAYER
FILMS
CRAS
Surface morphology control of strained InAs/GaAs(331)A films: From nanowires to island-pit pairs
期刊论文
applied physics letters, 2005, 卷号: 86, 期号: 1, 页码: art.no.013104
Gong Z
;
Niu ZC
;
Fang ZD
;
Miao ZH
;
Feng SL
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/03/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Defects in GaN films grown on Si(111) substrates by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 1811-1814
Hu GQ
;
Kong X
;
Wan L
;
Wang YQ
;
Duan XF
;
Lu Y
;
Liu XL
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浏览/下载:250/3
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HETEROEPITAXIAL GROWTH
HETEROSTRUCTURE
DISLOCATIONS
MICROSCOPY
Stress and its effect on optical properties of GaN epilayers grown on Si(111), 6H-SiC(0001), and c-plane sapphire
期刊论文
applied physics letters, 2003, 卷号: 83, 期号: 4, 页码: 677-679
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:1038/2
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提交时间:2010/08/12
VAPOR-PHASE EPITAXY
PHONON DEFORMATION POTENTIALS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
RAMAN-SCATTERING
ALPHA-GAN
ALN
LAYERS
STRAIN
WURTZITE
FILMS
Polarity dependence of hexagonal GaN films on two opposite c faces of Al2O3 substrate
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 25, 页码: 3974-3976
作者:
Han PD
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浏览/下载:76/9
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SURFACE POLARITY
SINGLE-CRYSTALS
BUFFER LAYER
GROWN GAN
DEPOSITION
MORPHOLOGY
QUALITY
ZNO
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