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科研机构
半导体研究所 [15]
内容类型
期刊论文 [13]
会议论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2006 [1]
2005 [3]
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学科主题
半导体物理 [15]
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共15条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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Single-photon interference based on a single InAs quantum dot
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 3, 页码: article no.37809
作者:
Chang XY
收藏
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浏览/下载:56/4
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提交时间:2011/07/05
single quantum dot
antibunching effect
Mach-Zehnder interferometer
LIGHT
RESONANCE
Electrically Driven InAs Quantum-Dot Single-Photon Sources
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: art. no. 026802
Xiong YH
;
Niu ZC
;
Dou XM
;
Sun BQ
;
Huang SS
;
Ni HQ
;
Du Y
;
Xia JB
收藏
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浏览/下载:135/40
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提交时间:2010/03/08
PILLAR MICROCAVITIES
EMISSION
COMPUTATION
Single-photon source in strong photon-atom interaction regime in quasiperiodic photonic crystals
期刊论文
epl, 2008, 卷号: 84, 期号: 6, 页码: art. no. 67003
Xu XS
;
Chen HD
;
Yamada T
;
Otomo A
收藏
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浏览/下载:382/110
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提交时间:2010/03/08
BAND-GAP MATERIALS
SPONTANEOUS EMISSION
QUANTUM-DOT
FLUORESCENCE
Self-assembled GaAs quantum rings by MBE droplet epitaxy
会议论文
china international conference on nanoscience and technology (chinanano 2005), beijing, peoples r china, jun 09-11, 2005
Huang, SS (Huang, Shesong)
;
Niu, ZC (Niu, Zhichuan)
;
Xia, JB (Xia, Jianbai)
收藏
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浏览/下载:233/75
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提交时间:2010/03/29
quantum single rings
concentric quantum double rings
coupled concentric quantum double ring
droplet epitaxy
The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 mu m wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 494-497
Wu DH
;
Niu ZC
;
Zhang SY
;
Ni HQ
;
He ZH
;
Sun Z
;
Han Q
;
Wu RH
收藏
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浏览/下载:85/0
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提交时间:2010/04/11
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum wells
nitrides
semiconducting III-V materials
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
LASER-DIODES
TEMPERATURE
SURFACTANT
EMISSION
NITROGEN
ORIGIN
Photoluminescence study of (GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs bilayer quantum well grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 2950-2954
作者:
收藏
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浏览/下载:66/31
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提交时间:2010/03/17
molecular beam epitaxy
Synthesis of GaN nanotip triangle pyramids on 3C-SiC epilayer/Si substrates via an in situ In-doping technique
期刊论文
journal of chemical physics, 2005, 卷号: 122, 期号: 10, 页码: art.no.104713
Dai L
;
Liu SF
;
Fu ZX
;
You LP
;
Zhu JJ
;
Lin BX
;
Zhang JC
;
Qin GG
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/03/17
GALLIUM NITRIDE NANOWIRES
Synthesis of GaN nanowires and nano-pyramids in a two-hot-boat chemical vapor deposition system via an in-doping technique
期刊论文
acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 9, 页码: 4329-4333
Liu, SF
;
Qin, GG
;
You, LP
;
Zhang, JC
;
Fu, ZX
;
Dai, L
收藏
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浏览/下载:252/98
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提交时间:2010/03/17
GaN
Size evolution and optical properties of self-assembled InAs quantum dots on different matrix
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2003, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 292-297
作者:
收藏
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/08/12
self-assembled
MBE
quantum dots
photoluminescence
1.3 MU-M
TEMPERATURE-DEPENDENCE
EXCITED-STATES
INXGA1-XAS
LASERS
INP
Selectively excited photoluminescence of GaAs1-xNx single quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 8, 页码: 4863-4865
作者:
收藏
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浏览/下载:142/0
  |  
提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAASN ALLOYS
NITROGEN
LUMINESCENCE
PRESSURE
STATES
ENERGY
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