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科研机构
半导体研究所 [6]
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期刊论文 [6]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2005 [1]
2004 [1]
1993 [1]
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学科主题
半导体物理 [6]
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学科主题:半导体物理
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Photoluminescence of CdSe nanowires grown with and without metal catalyst
期刊论文
nano research, 2011, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 343-359
作者:
Tan PH
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浏览/下载:52/5
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提交时间:2011/07/05
CdSe
nanowires
photoluminescence
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SHAPE-SELECTIVE SYNTHESIS
LIQUID-SOLID MECHANISM
OPTICAL-PROPERTIES
SILICON NANOWIRES
SI NANOWIRES
ZNSE NANOWIRES
SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS
STRUCTURAL-PROPERTIES
EPITAXIAL-GROWTH
Possible origin of ferromagnetism in undoped anatase TiO2
期刊论文
physical review b, 2009, 卷号: 79, 期号: 9, 页码: art. no. 092411
作者:
Li JB
收藏
  |  
浏览/下载:71/34
  |  
提交时间:2010/03/08
ab initio calculations
ferromagnetic materials
magnetic moments
magnetic semiconductors
titanium compounds
vacancies (crystal)
Nitrogen defects and ferromagnetism in Cr-doped dilute magnetic semiconductor AlN from first principles
期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 195206
Shi LJ
;
Zhu LF
;
Zhao YH
;
Liu BG
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浏览/下载:217/56
  |  
提交时间:2010/03/08
ab initio calculations
aluminium compounds
annealing
band structure
chromium
Curie temperature
density functional theory
exchange interactions (electron)
ferromagnetic materials
III-V semiconductors
semimagnetic semiconductors
total energy
vacancies (crystal)
Study on the stacking faults in hexagonal GaN grown by epitaxy lateral overgrowth with synchrotron radiation
期刊论文
high energy physics and nuclear physics-chinese edition, 2005, 卷号: 29, 期号: suppl.s, 页码: 37-39
Chen J
;
Wang JF
;
Zhang JC
;
Wang H
;
Huang Y
;
Wang YT
;
Yang H
;
Jia QJ
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/04/11
GaN
metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)
epitaxy lateral overgrowth
stacking faults
synchrotron radiation X-ray diffraction (XRD)
pole figure
WURTZITE GAN
LUMINESCENCE
Effect of critical thickness on structural and optical properties of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2004, 卷号: 95, 期号: 8, 页码: 4362-4366
Lu, W
;
Li, DB
;
Li, CR
;
Shen, F
;
Zhang, Z
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浏览/下载:303/45
  |  
提交时间:2010/03/09
CRITICAL LAYER THICKNESS
STRUCTURAL DEFECTS AND THEIR ELECTRICAL-ACTIVITY IN GERMANIUM IMPLANTED SILICON
期刊论文
nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1993, 卷号: 74, 期号: 0, 页码: 127-130
ZHANG JP
;
FAN TW
;
GWILLIAM RM
;
HEMMENT PLF
;
WEN JQ
;
QIAN Y
;
EFEOGLU H
;
EVANS JH
;
PEAKER AR
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浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2010/11/15
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