×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [3]
厦门大学 [1]
北京大学 [1]
化学研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [5]
其他 [1]
发表日期
2017 [1]
2016 [1]
2011 [2]
2000 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
半导体物理 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Absence of Intramolecular Singlet Fission in Pentacene-Perylenediimide Heterodimers: The Role of Charge Transfer State
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY LETTERS, 2017, 卷号: 8, 期号: 22, 页码: 5609-5615
作者:
Wang, Long
;
Wu, Yishi
;
Chen, Jianwei
;
Wang, Lanfen
;
Liu, Yanping
收藏
  |  
浏览/下载:36/0
  |  
提交时间:2018/01/15
Theoretical Analysis of Buffer Trapping Effects on off-State Breakdown between Gate and Drain in A1GaN/GaN HEMTs
其他
2016-01-01
Zhu, Lin
;
Wang, Jinyan
;
Jiang, Haisang
;
Wang, Hongyue
;
Wu, Wengang
;
Zhou, Yang
;
Dai, Gang
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2017/12/03
AlGaN/GaN HEMT
deep-level acceptor trap
depletion length
off-state breakdown
gate-to-drain spacing
ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS
IMPACT IONIZATION
GAN
MOS capacitance - Voltage characteristics III Trapping capacitance from 2-charge-state impurities
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/32/12/121002, 2011
Jie, Binbi
;
Sah, Chihtan
;
揭斌斌
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/07/22
Hole traps
Impurities
MOS capacitors
Optical signal processing
Silicon
Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type GaN
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.102104
作者:
Deng QW
收藏
  |  
浏览/下载:47/5
  |  
提交时间:2011/07/05
QUANTUM-WELL-STRUCTURE
ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURE
YELLOW LUMINESCENCE
DEEP LEVELS
TRAP
PERFORMANCE
FREQUENCY
EPILAYERS
ORIGIN
DIODES
Effect of thermal annealing on hole trap levels in Mg-doped GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2000, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 261-267
Zhu QS
;
Nagai H
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
收藏
  |  
浏览/下载:64/0
  |  
提交时间:2010/08/12
P-TYPE GAN
DEEP LEVELS
Hole trap levels in Mg-doped GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 14, 页码: 2024-2026
Nagai H
;
Zhu QS
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2010/08/12
P-TYPE GAN
DEEP LEVELS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace