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Influence of Fe in the buffer layer on the laser lift-off of AlGaN/GaN HEMT film: phenomena and mechanism
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 卷号: 35, 期号: 9, 页码: 095024
作者:
Fen Guo
;
Quan Wang
;
Hongling Xiao
;
Lijuan Jiang
;
Wei Li
;
Chun Feng
;
Xiaoliang Wang
;
Zhanguo Wang
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2021/05/25
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料及AlGaN/GaN HEMT器件辐照效应研究
学位论文
中国科学院大学: 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2019
作者:
胡培培
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浏览/下载:76/0
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提交时间:2019/11/21
Responsivity and noise characteristics of AlGaN/GaN-HEMT terahertz detectors at elevated temperatures
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2019, 卷号: 28, 期号: 5
作者:
Tian, Zhi-Feng
;
Xu, Peng
;
Yu, Yao
;
Sun, Jian-Dong
;
Feng, Wei
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2019/12/26
terahertz detection
gallium nitride
noise spectrum
responsivity
Enhancement of Negative Differential Mobility Effect in Recessed Barrier Layer AlGaN/GaN HEMT for Terahertz Applications
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.3, 页码: 1236-1242
作者:
Hongliang Zhao
;
Lin-An Yang
;
Hao Zou
;
Xiao-hua Ma
;
Yue Hao
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2019/12/17
HEMTs
Wide band gap semiconductors
Aluminum gallium nitride
Logic gates
Oscillators
Mathematical model
Schottky diodes
AlGaN/GaN
electron domain
high-electron mobility transistor (HEMT)
recessed barrier layer (RBL)
terahertz
Effects of Annealing on Enhancement-Mode AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures HEMTs with Different GaN Channel Layer Thickness
期刊论文
JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2019, 卷号: Vol.14 No.2, 页码: 184-188
作者:
Wang, Xin
;
He, Yun-Long
;
He, Qing
;
Wang, Chong
;
Lei, Wei-Ning
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/12/17
Annealing
Enhancement-Mode
AlGaN/GaN/AlGaN
HEMT
Fluorine Plasma
Effects of Annealing on Enhancement-Mode AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures HEMTs with Different GaN Channel Layer Thickness
期刊论文
2019, 卷号: 14, 页码: 184-188
作者:
Wang, Xin
;
He, Yun-Long
;
He, Qing
;
Wang, Chong
;
Lei, Wei-Ning
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/20
Annealing
Enhancement-Mode
AlGaN/GaN/AlGaN
HEMT
Fluorine Plasma
InAlN/GaN异质结横向组分不均匀散射机制的研究
学位论文
: 西安理工大学, 2019
作者:
陈谦
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/20
InAlN/GaN异质结
AlGaN插入层
导带波动散射
HEMT
Mechanism of Buffer-Related Current Collapse in AlGaN/GaN HEMT
会议论文
2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01
作者:
Liu, Jing
;
Huang, Zhongxiao
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/20
AlGaN/GaN HEMT
Current Collapse
Traps
Thermal Analysis of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility HEMT with Graphene
期刊论文
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2018
作者:
Liu HG(刘洪刚)
;
Jie Sun
;
Zhang GB(张国斌)
;
Zhao M(赵妙)
;
Chunli Yan
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提交时间:2019/04/19
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