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High operating temperature pBn barrier mid-wavelength infrared photodetectors and focal plane array based on InAs/InAsSb strained layer superlattices
期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2020, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 17611-17619
作者:
Gongrong Deng
;
Dongqiong Chen
;
Shaopei Yang
;
Chaowei Yang
;
Jun Yuan
;
Wenyun Yang
;
Yiyun Zhang
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2021/06/16
Enhancing power density of strained In0.8Ga0.2As/AlAs resonant tunneling diode for terahertz radiation by optimizing emitter spacer layer thickness
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2017
作者:
Shi, Xiangyang
;
Wu, Yuanyuan(吴渊源)
;
Wang, Ding
;
Su, Juan
;
Liu, Jie
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2018/02/05
Quantum state engineering with ultra-short-period (AlN)m/(GaN)n superlattices for narrowband deep-ultraviolet detection
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1039/c4nr04286g, 2014
Gao, Na
;
Lin, Wei
;
Chen, Xue
;
Huang,
;
Li, Shuping
;
Li, Jinchai
;
Chen, Hangyang
;
Yang, Xu
;
Ji, Li
;
Yu, Edward T.
;
Kang, Junyong
;
黄凯
;
李书平
;
李金钗
;
陈航洋
;
康俊勇
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/07/22
Atoms
Gallium nitride
High resolution transmission electron microscopy
Light absorption
Metallorganic vapor phase epitaxy
Organometallics
Photodetectors
Quantum optics
Superlattices
Exchange bias induced by the fully strained La2/3Ca1/3MnO3 dead layers
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 115, 期号: 17, 页码: 17D701
作者:
Xie, QY
;
Wu, XS
;
Gao, J
;
Jia, QJ;贾全杰
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2016/04/08
Growth of Ge1-xSnx/Ge strained-layer superlattices on Si(100) by molecular beam epitaxy
期刊论文
superlattices and microstructures, 2013, 卷号: 64, 页码: 543
Su, SJ
;
Zhang, DL
;
Zhang, GZ
;
Xue, CL
;
Cheng, BW
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2014/04/04
Epitaxial growth of thick Ge layers with low dislocation density on silicon substrate by UHV/CVD
期刊论文
2012
Chen Cheng-Zhao
;
Zheng Yuan-Yu
;
Huang Shi-Hao
;
Li Cheng
;
Lai Hong-Kai
;
赖洪凯
;
Chen Song-Yan
;
陈松岩
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2013/04/15
Ge
epitaxial
UHVCVD
photoluminescence
硅基低位错密度厚锗外延层的UHV/CVD法生长
期刊论文
2012
陈城钊
;
郑元宇
;
黄诗浩
;
李成
;
赖虹凯
;
陈松岩
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2016/05/17
Ge
外延生长
UHV/CVD
光致发光谱
Ge
epitaxial
UHVCVD
photoluminescence
Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102
作者:
Li MF
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浏览/下载:105/7
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提交时间:2011/07/05
molecular beam epitaxy
anti-phase domain
GaAs/Ge interface
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
JUNCTION SOLAR-CELLS
DOMAIN-FREE GROWTH
TEMPERATURE
QUALITY
FUTURE
In situ characterization of lattice relaxation of the BaTiO3/LaNiO3 superlattices epitaxially grown on SrTiO3 substrates
期刊论文
2010, 2010
Liang, YC
;
Lee, HY
;
Liu, HJ
;
Wu, TB
收藏
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浏览/下载:4/0
Enhanced quantum-confined pockels effect in SiGe superlattices
期刊论文
2010, 2010
Yu, P
;
Wu, J
;
Zhu, BF
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浏览/下载:3/0
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