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Photocarrier Radiometry Investigation of Light-Induced Degradation of Boron-Doped Czochralski-Grown Silicon Without Surface Passivation
期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF THERMOPHYSICS, 2016, 卷号: 37, 期号: 4
作者:
Wang, Qian
;
Li, Bincheng
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浏览/下载：15/0
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提交时间：2016/06/27
B-O defect
Light-induced degradation
Photocarrier radiometry
Silicon
Surface state
Accurate determination of electronic transport properties of silicon wafers by nonlinear photocarrier radiometry with multiple pump beam sizes
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 118, 期号: 21
作者:
Wang, Qian
;
Li, Bincheng
收藏
|
浏览/下载：19/0
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提交时间：2016/06/27
Electronic transport characterization of silicon wafers by spatially resolved steady-state photocarrier radiometric imaging
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 118, 期号: 12
作者:
Wang, Qian
;
Li, Bincheng
收藏
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浏览/下载：21/0
|
提交时间：2015/12/04
Combined Frequency- and Time-Domain Photocarrier Radiometry Characterization for Annealing Temperature Dependence of Arsenic Ion-Implanted Silicon Wafers
期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF THERMOPHYSICS, 2015, 卷号: 36, 期号: 5-6, 页码: 1045-1050
作者:
Ren, Shengdong
;
Li, Bincheng
;
Wang, Qian
收藏
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浏览/下载：22/0
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提交时间：2015/09/21
Carrier effective lifetime
Photocarrier radiometry
Silicon
Thermal annealing
Photocarrier Radiometry Characterization of Ultra-shallow Junctions (USJ) in Silicon with Excimer Laser Irradiation
期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF THERMOPHYSICS, 2015, 卷号: 36, 期号: 5-6, 页码: 1173-1180
作者:
Wang, Qian
;
Li, Bincheng
;
Ren, Shengdong
;
Wang, Qiang
收藏
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浏览/下载：13/0
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提交时间：2015/09/21
Ion implantation
Laser irradiation
Photocarrier radiometry
Silicon
Ultra-shallow junction
Accurate determination of electronic transport properties of silicon wafers by nonlinear photocarrier radiometry with multiple pump beam sizes
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2015, 卷号: 118, 期号: 21, 页码: 215707
作者:
Wang, Qian
;
Li, Bincheng
收藏
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浏览/下载：13/0
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提交时间：2016/11/21
Combined Frequency- and Time-Domain Photocarrier Radiometry Characterization for Annealing Temperature Dependence of Arsenic Ion-Implanted Silicon Wafers
期刊论文
International Journal of Thermophysics, 2015, 卷号: 36, 期号: 5-6, 页码: 1045-1050
作者:
Ren, Shengdong
;
Li, Bincheng
;
Wang, Qian
收藏
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浏览/下载：16/0
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提交时间：2016/11/21
Electronic transport characterization of silicon wafers by spatially resolved steady-state photocarrier radiometric imaging
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2015, 卷号: 118, 期号: 12, 页码: 125705
作者:
Wang, Qian
;
Li, Bincheng
收藏
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浏览/下载：16/0
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提交时间：2016/11/21
Photocarrier Radiometry Characterization of Ultra-shallow Junctions (USJ) in Silicon with Excimer Laser Irradiation
期刊论文
International Journal of Thermophysics, 2015, 卷号: 36, 期号: 5-6, 页码: 1173-1180
作者:
Wang, Qian
;
Li, Bincheng
;
Ren, Shengdong
;
Wang, Qiang
收藏
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浏览/下载：11/0
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提交时间：2016/11/21
Characterization of Silicon Wafers with Combined Photocarrier Radiometry and Free Carrier Absorption
期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF THERMOPHYSICS, 2013, 卷号: 34, 期号: 8-9, 页码: 1735-1745
作者:
Li, Bincheng
;
Huang, Qiuping
;
Ren, Shengdong
收藏
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浏览/下载：22/0
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提交时间：2015/04/17
Electronic transport properties
Free carrier absorption
Ion implantation
Photocarrier radiometry
Silicon
Thermal annealing
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