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Ge quantum-dot polysilicon emitter heterojunction phototransistors for 1.31-1.55 mu m light detection 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, Symposium on Semiconductor Nanostructures towards Electronic and Optoelectronic Device Applications held at the 2007 EMRS Spring Meeting, Strasbourg, FRANCE, Web of Science
Wei, Rongshan; Deng, Ning; Dong, Hao; Ren, Min; Zhang, Lei; Chen, Peiyi; Liu, Litian
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Extrinsic Base Surface Passivation in High Speed "Type-II" GaAsSb/InP DHBTs Using an InGaAsP Ledge Structure 外文期刊
2010
作者:  Jin, Z;  Liu, XY;  Wu, Dx;  Zhou, L;  Chang, HD
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/26
A base-emitter self-aligned multi-finger si1-xgex/si power heterojunction bipolar transistor 期刊论文
Chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: 2125-2127
作者:  Xue Chun-Lai;  Yao Fei;  Shi Wen-Hua;  Cheng Bu-Wen;  Wang Hong-Jie
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A base-emitter self-aligned multi-finger Si1-xGex/Si power heterojunction bipolar transistor 期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: 2125-2127
Xue CL (Xue Chun-Lai); Yao F (Yao Fei); Shi WH (Shi Wen-Hua); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Wang HJ (Wang Hong-Jie); Yu JZ (Yu Jin-Zhong); Wang QM (Wang Qi-Ming)
收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/03/29
162GHz自对准InP／InGaAs异质结双极型晶体管 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1732-1736
作者:  徐安怀;  于进勇;  刘新宇;  严北平;  苏树兵
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C波段3．5W／mm，PAE〉40％的InGaP／GaAs HBT功率管 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1612-1615
作者:  严北平;  吴德馨;  申华军;  陈延湖;  葛霁
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/26
基于MBE生长的一种Be掺杂InGaAs基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs DHBT 期刊论文
半导体学报, 2006, 期号: 06
苏树兵; 徐安怀; 刘新宇; 齐鸣; 刘训春; 王润梅
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/01/06
162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管(英文) 期刊论文
半导体学报, 2006, 期号: 10
于进勇; 严北平; 苏树兵; 刘训春; 王润梅; 徐安怀; 齐 鸣; 刘新宇
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/01/06
高性能的Be掺杂基区InP/InGaAs SHBT 会议论文
2005'全国微波毫米波会议, 2006
苏树兵; 于进勇; 刘新宇; 刘训春; 王润梅; 徐安怀; 齐鸣
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/18
不同集电结结构的AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2005, 期号: 03
李冰寒; 刘文超; 周健; 夏冠群
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