162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管
徐安怀; 于进勇; 刘新宇; 严北平; 苏树兵; 刘训春; 王润梅; 齐鸣
刊名半导体学报
2006
卷号27期号:10页码:1732-1736
关键词磷化铟 异质结双极型晶体管 自对准
ISSN号0253-4177
产权排序1
英文摘要

报道了发射极自对准的InP基异质结双极型晶体管.在集电极电流Ic=34.2mA的条件下,发射极面积为0.8μm×12μm的InPHBT截止频率fT为162GHz,最大振荡频率fmax为52GHz,最大直流增益为120,偏移电压为0.10V,击穿电压BVCEO达到3.8V(Ic=0.1μA).这种器件非常适合在高速低功耗方面的应用,例如OEIC接收机以及模拟数字转换器.

语种中文
公开日期2010-05-26
内容类型期刊论文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/1348]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
徐安怀,于进勇,刘新宇,等. 162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管[J]. 半导体学报,2006,27(10):1732-1736.
APA 徐安怀.,于进勇.,刘新宇.,严北平.,苏树兵.,...&齐鸣.(2006).162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管.半导体学报,27(10),1732-1736.
MLA 徐安怀,et al."162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管".半导体学报 27.10(2006):1732-1736.
个性服务
查看访问统计
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace