C波段3．5W／mm，PAE〉40％的InGaP／GaAs HBT功率管

	C波段3．5W／mm，PAE〉40％的InGaP／GaAs HBT功率管
	严北平; 吴德馨; 申华军; 陈延湖; 葛霁; 王显泰; 刘新宇
刊名	半导体学报
	2006
卷号	27 期号:9 页码:1612-1615
关键词	Ingap／gaas 异质结双极晶体管功率管
ISSN号	0253-4177
产权排序	1
英文摘要	通过优化InGaP／GaAs异质结双极晶体管（HBT）的材料结构和器件结构，采用BE金属自对准、发射极镇流和电镀空气桥等工艺技术，研制了C波段InGaP／GaAs HBT功率管．其击穿电压BVCBO大于31V，BVCEO大于21V；在5.4GHz时连续波（CW）饱和输出功率达到1．4W，功率密度达到3．5W／mm，功率附加效率（PAE）大于40％．
语种	中文
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1372]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	严北平,吴德馨,申华军,等. C波段3．5W／mm，PAE〉40％的InGaP／GaAs HBT功率管[J]. 半导体学报,2006,27(9):1612-1615.
APA	严北平.,吴德馨.,申华军.,陈延湖.,葛霁.,...&刘新宇.(2006).C波段3．5W／mm，PAE〉40％的InGaP／GaAs HBT功率管.半导体学报,27(9),1612-1615.
MLA	严北平,et al."C波段3．5W／mm，PAE〉40％的InGaP／GaAs HBT功率管".半导体学报 27.9(2006):1612-1615.