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浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2003    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Room-temperature ferromagnetic semiconductor MnxGa1-xSb 期刊论文 chinese science bulletin, 2003, 卷号: 48, 期号: 6, 页码: 516-518 Chen NF; Zhang FQ; Yang JL; Liu ZK; Yang SY; Chai CL; Wang ZG; Hu WR; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 MnxGa1-xSb  ferromagnetic semiconductor  diluted magnetic semiconductors  DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS  GAMNAS   Structure characteristics of InGaN quantum dots fabricated by passivation and low temperature method 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 19-25 Qu BZ; Chen Z; Lu DC; Han P; Liu XG; Wang XH; Wang D; Zhu QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SIZE DISTRIBUTION  GROWTH  GAAS  DEPENDENCE  EMISSION  NUMBER   Influence of growth pressure of a GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2003, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 620-626 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：252/65  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  MOCVD  in situ laser reflectometry  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  IN-SITU  SAPPHIRE SUBSTRATE  NUCLEATION LAYERS  FILMS   Photoluminesfcence of Er-doped SiO2 films containing Si nanocrystals and Er 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 10-15 Chen CY; Chen WD; Song SF; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：441/2  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  chemical vapor deposition processes  nanomaterials  semiconducting materials  SILICON NANOCRYSTALS  LUMINESCENCE  EXCITATION   Polymorphous silicon nanowires synthesized by plasma-enhanced chemical vapor deposition 会议论文 symposium on quantum confined semiconductor nanostructures held at the 2002 mrs fall meeting, boston, ma, dec 02, 2001-dec 05, 2002 Zeng XB; Liao XB; Diao HW; Hu ZH; Xu YY; Zhang SB; Chen CY; Chen WD; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/10/29 LASER-ABLATION  SEMICONDUCTOR NANOWIRES  GROWTH  MECHANISM  EVAPORATION  DIAMETER  WIRES   Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 会议论文 iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Zhang ZC; Ren BY; Chen YH; Yang SY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/11/15 Czochralski method  growth from melt  semiconductor silicon  argon gas flow  computer simulation  oxygen content  FURNACE PRESSURE   MnSb/porous silicon hybrid structure prepared by physical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 110-114 Xiu HX; Chen NF; Peng CT 收藏  |  浏览/下载：336/6  |  提交时间：2010/08/12 physical vapor deposition processes  manganese antimonide  porous silicon  POROUS-SILICON  FILMS  MNSB  EPITAXY   Effects of reactor pressure on GaN nucleation layers and subsequent GaN epilayers grown on sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 3-4, 页码: 348-352 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：230/30  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowth  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HIGH-QUALITY GAN  BUFFER LAYER  THREADING DISLOCATIONS  TEMPERATURE  EVOLUTION  SURFACE  MOVPE   (Ga,Mn,N) compounds growth with mass-analyzed low energy dual ion beam deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 202-207 Zhang FQ; Chen NF; Liu XG; Liu ZK; Yang SY; Cha CL 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  ion beam epitaxy  semiconducting III-V materials  DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS  IMPLANTED GAN  FERROMAGNETISM  INJECTION  GAAS  MN   Magnetic properties of silicon doped with gadolinium 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2003, 卷号: 77, 期号: 3-4, 页码: 599-602 Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：321/10  |  提交时间：2010/08/12 METAL-INSULATOR-TRANSITION  BEAM EPITAXY TECHNIQUE  SEMICONDUCTING SILICIDES  INDUCED FERROMAGNETISM  FILMS  MAGNETORESISTANCE  TEMPERATURE  ALLOYS