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High-performance gold/graphene/germanium photodetector based on a graphene-on-germanium wafer
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2022, 卷号: 33, 期号: 34, 页码: 7
作者:
Jiang, Haiyan
;
Li, Bo
;
Wei, Yuning
;
Feng, Shun
;
Di, Zengfeng
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2022/07/14
graphene
germanium
2D material
Fermi-level pinning
photodetector
Interface Engineering-Assisted 3D-Graphene/Germanium Heterojunction for High-Performance Photodetectors
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 卷号: 12, 期号: 13, 页码: 15606-15614
作者:
Menghan Zhao
;
Zhongying Xue
;
Wei Zhu
;
Gang Wang
;
Shiwei Tang
;
Zhiduo Liu
;
Qinglei Guo
;
Da Chen
;
Paul K. Chu
;
Guqiao Ding
;
Zengfeng Di
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2021/12/16
Graphene Quantum Dot-Decorated Vertically Oriented Graphene/Germanium Heterojunctions for Near-Infrared Photodetectors
期刊论文
ACS APPLIED NANO, 2020, 卷号: 3, 期号: 7, 页码: 6915-6924
作者:
Wei Zhu
;
Zhongying Xue
;
Gang Wang
;
Menghan Zhao
;
Da Chen
;
Qinglei Guo
;
Zhiduo Liu
;
Xiaoqiang Feng
;
Guqiao Ding
;
Paul K. Chu
;
Zengfeng Di
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2021/06/28
Investigation of Coulomb scattering on sSi/Si0.5Ge0.5/sSOI quantum-well p-MOSFETs
期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 卷号: 37
作者:
Wen Jiao[1]
;
Liu Qiang[2]
;
Liu Chang[3]
;
Wang Yize[4]
;
Zhang Bo[5]
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/04/26
SiGe
quantum-well
hole mobility
Coulomb scattering
Ion-sensitive field-effect transistor with sSi/Si0.5Ge0.5/sSOI quantum-well for high voltage sensitivity
期刊论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2016, 卷号: 163, 页码: 115-118
作者:
Wen, Jiao[1]
;
Liu, Qiang[2]
;
Liu, Chang[3]
;
Wang, Yize[4]
;
Zhang, Bo[5]
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/04/26
SiGe
Quantum-well
Ion-sensitive field-effect transistor
Voltage sensitivity
Catalyst-free approach for growth of graphene sheets on high-density silica nanowires by CVD
期刊论文
MATERIALS LETTERS, 2016, 卷号: 162, 页码: 165-168
作者:
Wang, Ziwen[1]
;
Xue, Zhongying[2]
;
Wang, Gang[3]
;
Dai, Jiayun[4]
;
Zheng, Xiaohu[5]
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/04/26
Graphene
Silica nanowire
Chemical vapor deposition
Carbon materials
High performance strained Si0.5Ge0.5 quantum-well p-MOSFETs fabricated using a high-kappa/metal-gate last process
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2015, 卷号: 83, 页码: 210-215
作者:
Liu, Chang[1]
;
Wen, Jiao[2]
;
Yu, Wenjie[3]
;
Zhang, Bo[4]
;
Xue, Zhongying[5]
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/04/26
SiGe
Quantum-well
Gate-last
Hole mobility
Synthesis, Characterization and Application of Some Axially Chiral Binaphthyl Phosphoric Acids in Asymmetric Mannich Reaction
期刊论文
2015, 卷号: 33, 期号: 5, 页码: 601-609
作者:
Yao, Yuanyong
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/28
SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究
期刊论文
材料导报, 2012, 期号: 14, 页码: 22-24+32
作者:
陈达
;
刘林杰
;
薛忠营
;
刘肃
;
贾晓云
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/04/27
薄膜
减压化学气相沉积
硅锗
负载影响
Reduced perssure-chemical vapor deposition of high quality Ge layers on SiGe/Si superlayers for microelectronics and optoelectronics purposes
会议论文
4th International Symposium on Graphene, Ge/III-V and Emerging Materials for Post-CMOS Applications - 221st ECS Meeting, Seattle, WA, United states, May 6, 2012 - May 10, 2012
作者:
Chen, Da
;
Xue, Zhongying
;
Liu, Su
;
Zhang, Miao
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2017/01/20
Germanium
Chemical vapor deposition
Graphene
Microelectronics
Nanowires
Silicon
Substrates
Thick films
Vapors
Conventional approach
High growth temperatures
High quality
Low temperatures
Reduced pressure chemical vapor deposition
Si process
SiGe/Si
Superlayers
Tensile-strain configuration
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