CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共314条，第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Anomalous electrical properties induced by hot-electron-injection in 130-nm partially depleted soi nmosfets fabricated on modified wafer 期刊论文
Ieee transactions on nuclear science, 2016, 卷号: 63, 期号: 5, 页码: 2731-2737
作者:  Dai, Lihua;  Bi, Dawei;  Ning, Bingxu;  Hu, Zhiyuan;  Song, Lei
收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2019/05/09
Effects of annealing temperature on buried oxide precipitates in He and O co-implanted Si 期刊论文
VACUUM, 2013, 卷号: 93, 期号: 93, 页码: 22-27
作者:  Zhong, YR;  Li, BS;  Wang, BY;  Qin, XB;  Zhang, LQ
收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2015/10/15
Effect of co-implantation of nitrogen and fluorine on the fixed positive charge density of the buried oxide layer in SIMOX SOI materials 期刊论文
acta physica sinica, 2013, 卷号: 62, 期号: 11, 页码: 117303
Zhang Bai-Qiang, Zheng Zhong-Shan, Yu Fang, Ning Jin, Tang Hai-Ma, Yang Zhi-An
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2014/04/09
埋氧注氮对SIMOX SOI材料埋氧中辐射感生正电荷密度的影响 会议论文
作者:  于芳;  郑中山;  刘忠立;  李宁
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2015/11/10
高剂量注氮对注氧隔离硅材料埋氧层中正电荷密度的影响 期刊论文
物理学报, 2011
作者:  郑中山
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/11/14
Precipitates and defects in silicon co-implanted with helium and oxygen 期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2011, 卷号: 269, 期号: 8, 页码: 739-744
作者:  Zhang, Y.;  Yang, Y. T.;  Zhang, L. Q.;  Li, B. S.;  Zhang, C. H.
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2015/10/15
A -188 v 7.2 Ω&middotmm2, P-channel high voltage device formed on an epitaxy-SIMOX substrate 期刊论文
2011, 卷号: 20
作者:  Wu, Li-Juan[1,2];  Hu, Sheng-Dong[3];  Zhang, Bo[1];  Luo, Xiao-Rong[1];  Li, Zhao-Ji[1]
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/30
A --188 V 7.2 Ω·mm2, P-channel high voltage device formed on an epitaxy-SIMOX substrate 期刊论文
2011, 卷号: 20, 页码: 327-334
作者:  Wu Li-Juan[1,2];  Hu Sheng-Dong[3];  Zhang Bo[1];  Luo Xiao-Rong[1];  Li Zhao-Ji[1]
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/30
A-188 V 7.2Ω·mm~2,P-channel high voltage device formed on an epitaxy-SIMOX substrate A-188 V 7.2Ω·mm~2,P-channel high voltage device formed on an epitaxy-SIMOX substrate 期刊论文
2011, 页码: 331-338
作者:  Wu LJ(吴丽娟);  Hu SD(胡盛东);  Zhang B(张波);  Luo XR(罗小蓉);  Li ZJ(李肇基)
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/30
A-188 V 7.2 Omega . mm(2), P-channel high voltage device formed on an epitaxy-SIMOX substrate 期刊论文
2011, 卷号: 20
作者:  Wu Li-Juan[1,2];  Hu Sheng-Dong[3];  Zhang Bo[1];  Luo Xiao-Rong[1];  Li Zhao-Ji[1]
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/30

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace