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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：中国科学院大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Anomalous electrical properties induced by hot-electron-injection in 130-nm partially depleted soi nmosfets fabricated on modified wafer 期刊论文 Ieee transactions on nuclear science, 2016, 卷号: 63, 期号: 5, 页码: 2731-2737 作者:  Dai, Lihua;  Bi, Dawei;  Ning, Bingxu;  Hu, Zhiyuan;  Song, Lei 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2019/05/09 Buried oxide  Interface trap  Silicon ion implantation  Soi nmosfets  Total dose radiation