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Insights into resistive switching characteristics of TaOx-RRAM by Monte-Carlo simulation 其他
2015-01-01
Zhao, Y.D.; Huang, P.; Chen, Z.; Liu, C.; Li, H.T.; Chen, B.; Ma, W.J.; Zhang, F.F.; Gao, B.; Liu, X.Y.; Kang, J.F.
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03
Understanding the underlying physics of superior endurance in Bi-layered TaOX-RRAM 其他
2015-01-01
Zhao, Y.D.; Huang, P.; Chen, Z.; Liu, C.; Li, H.T.; Ma, W.J.; Gao, B.; Liu, X.Y.; Kang, J.F.
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03
Simulation of TaOX-RRAM with Ta2O5-X/TaO2-Xstack engineering 其他
2015-01-01
Zhao, Y.D.; Huang, P.; Chen, Z.; Liu, C.; Li, H.T.; Ma, W.J.; Gao, B.; Liu, X.Y.; Kang, J.F.
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Simulation of TaOX-RRAM with Ta2O5-X/TaO2-X Stack Engineering 其他
2015-01-01
Zhao, Y. D.; Huang, P.; Chen, Z.; Liu, C.; Li, H. T.; Ma, W. J.; Gao, B.; Liu, X. Y.; Kang, J. F.
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03
Understanding the Underlying Physics of Superior Endurance in Bi-layered TaOx-RRAM 其他
2015-01-01
Zhao, Y. D.; Huang, P.; Chen, Z.; Liu, C.; Li, H. T.; Ma, W. J.; Gao, B.; Liu, X. Y.; Kang, J. F.
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03
Resistive Switching Model for Electrolyte-oxide-semiconductor (EOS) Structure 其他
2013-01-01
Ma, X. Y.; Sun, G. C.; Chen, Y. F.; Wu, W. G.
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Resistive switching model for Electrolyte-Oxide-Semiconductor (EOS) structure 其他
2013-01-01
Ma, X.Y.; Sun, G.C.; Chen, Y.F.; Wu, W.G.
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/13
Switching characteristic model and biochemical application analysis for electrolyte-oxide-semiconductor structure diodes 其他
2012-01-01
Sun, G.C.; Ma, X.Y.; Tang, A.S.; Chen, Y.F.; Wu, W.G.
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Rectifying characteristics and implementation of n-Si/HfO2 based devices for 1D1R-based cross-bar memory array 其他
2012-01-01
Zhang, F.F.; Huang, P.; Chen, B.; Yu, D.; Fu, Y.H.; Ma, L.; Gao, B.; Liu, L.F.; Liu, X.Y.; Kang, J.F.
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/13
Co-existed unipolar and bipolar resistive switching effect of HfO x-based RRAM 其他
2012-01-01
Chen, B.; Gao, B.; Fu, Y.H.; Liu, R.; Ma, L.; Huang, P.; Zhang, F.F.; Liu, L.F.; Liu, X.Y.; Kang, J.F.; Lian, G.J.
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