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| 一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法 专利
专利号: CN201510564659.4, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2015-11-18
作者: 彭朝阳; 刘新宇 ; 刘国友; 李诚瞻; 汤益丹
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| 碳化硅MOSFET器件及其制作方法 专利
专利号: CN201510574417.3, 申请日期: 2018-03-23, 公开日期: 2015-12-16
作者: 李诚瞻; 汤益丹; 申华军; 白云; 周静涛
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| 一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法 专利
专利号: CN201510702260.8, 申请日期: 2018-03-06, 公开日期: 2016-01-06
作者: 汤益丹; 白云; 李诚瞻; 刘新宇; 刘国友
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| 一种插入层复合结构及其制作方法 专利
专利号: CN201410671215.6, 申请日期: 2017-07-18, 公开日期: 2015-03-04
作者: 白云; 申华军; 汤益丹; 刘新宇; 杨成樾
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| 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 专利
专利号: CN201410643283.1, 申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2015-03-11
作者: 汤益丹; 白云; 申华军; 霍瑞彬; 刘新宇
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| 一种场限环结终端结构的优化设计方法 专利
专利号: CN201410671594.9, 申请日期: 2017-05-17, 公开日期: 2015-03-11
作者: 刘新宇; 白云; 申华军; 汤益丹; 杨成樾
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| 一种介孔择型分子筛及其制备方法 专利
申请日期: 2017-01-01, 公开日期: 2017-11-07
作者: 申宝剑; 余倩倩; 郭巧霞; 王艳丹; 申波俊
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| 一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法 专利
专利号: CN201310589191.5, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2014-02-12
作者: 杨谦; 韩林超; 申华军; 白云; 汤益丹
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| 一种SiC肖特基二极管及其制作方法 专利
专利号: CN201310580966.2, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2014-02-12
作者: 汤益丹; 刘新宇; 许恒宇; 蒋浩杰; 赵玉印
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| 一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法 专利
专利号: CN201310570937.8, 申请日期: 2016-04-20, 公开日期: 2014-02-05
作者: 白云; 刘新宇; 汤益丹; 许恒宇; 蒋浩杰
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