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| 碳化硅MOSFET器件及其制作方法 专利
专利号: CN201510574417.3, 申请日期: 2018-03-23, 公开日期: 2015-12-16
作者: 李诚瞻; 汤益丹 ; 申华军; 白云; 周静涛
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| 一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法 专利
专利号: CN201510702260.8, 申请日期: 2018-03-06, 公开日期: 2016-01-06
作者: 汤益丹; 白云; 李诚瞻; 刘新宇; 刘国友
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| 一种插入层复合结构及其制作方法 专利
专利号: CN201410671215.6, 申请日期: 2017-07-18, 公开日期: 2015-03-04
作者: 白云; 申华军; 汤益丹; 刘新宇; 杨成樾
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| 一种场限环结终端结构的优化设计方法 专利
专利号: CN201410671594.9, 申请日期: 2017-05-17, 公开日期: 2015-03-11
作者: 刘新宇; 白云; 申华军; 汤益丹; 杨成樾
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| 防止钝化层过刻蚀的方法 专利
专利号: CN201110284796.4, 申请日期: 2015-11-04, 公开日期: 2013-04-03
作者: 李博; 白云; 唐益丹; 刘焕明; 周静涛
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| 高频内匹配功率器件的封装方法 专利
专利号: CN201210319726.2, 申请日期: 2015-04-29, 公开日期: 2012-12-19
作者: 陈晓娟; 杨成樾; 罗卫军; 刘新宇
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| SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 专利
专利号: CN201110380662.2, 申请日期: 2014-08-13, 公开日期: 2012-05-02
作者: 汤益丹; 白云; 李博; 刘新宇; 周静涛
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| 一种肖特基二极管接触孔制备的可测试性监控方法 专利
专利号: CN103972128A, 申请日期: 2014-08-06,
作者: 杨成樾; 任田昊; 金智; 周静涛
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| 一种硅基光电异质集成中的多量子阱混杂能带方法 专利
专利号: CN201010574100.7, 申请日期: 2014-01-08, 公开日期: 2012-06-06
作者: 吴德馨; 申华军; 刘洪刚; 刘焕明; 杨成樾
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| 采用三维排气孔装置的SOI/III-V整片晶片键合方法 专利
专利号: CN201010574339.4, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2012-06-06
作者: 刘焕明; 申华军; 周静涛; 刘新宇; 杨成樾
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