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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 An evidence of defect gettering in GaN 期刊论文 physica b-condensed matter, 2008, 卷号: 403, 期号: 13-16, 页码: 2495-2499 Majid A; Ali A; Zhu JJ; Wang YT; Yang H 收藏  |  浏览/下载：54/7  |  提交时间：2010/03/08 GaN   Influence of growth pressure of a GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2003, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 620-626 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：252/65  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  MOCVD  in situ laser reflectometry  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  IN-SITU  SAPPHIRE SUBSTRATE  NUCLEATION LAYERS  FILMS   Effects of reactor pressure on GaN nucleation layers and subsequent GaN epilayers grown on sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 3-4, 页码: 348-352 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：230/30  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowth  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HIGH-QUALITY GAN  BUFFER LAYER  THREADING DISLOCATIONS  TEMPERATURE  EVOLUTION  SURFACE  MOVPE   High-resolution X-ray diffraction analysis of the Bragg peak integrated intensity in highly mismatched III-N epilayers 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 354-358 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  metalorganic vapor phase epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  BUFFER LAYER  GAN  GROWTH   Influence of high-temperature AIN buffer thickness on the properties of GaN grown on Si(111) 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 258, 期号: 1-2, 页码: 34-40 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：299/12  |  提交时间：2010/08/12 metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  semiconductor III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-QUALITY GAN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  INTERMEDIATE LAYER  ALAS  ALN  SURFACES  SILICON  FILMS   Influences of reactor pressure of GaN buffer layers on morphological evolution of GaN grown by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：292/3  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowths  surface morphology  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  SAPPHIRE SUBSTRATE  NUCLEATION LAYERS  QUALITY  TEMPERATURE   Crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth 期刊论文 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 11, 页码: 1461-1467 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  epitaxial lateral overgrowth  crystallographic tilt  double crystal X-ray diffraction  FILMS  DEFECTS  GAAS   Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown GaN using selective etching 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  etching  metalorganic vapor-phase epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  FILMS  DISLOCATIONS  DENSITY  GROWTH  LAYERS   Influences of initial nitridation process on the optical and structural characterization of GaN layer grown on sapphire (0001) by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 physica status solidi a-applied research, 2001, 卷号: 188, 期号: 2, 页码: 653-657 Sun XL; Yang H; Zhu JJ; Wang YT; Chen Y; Li GH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：102/3  |  提交时间：2010/08/12 GALLIUM NITRIDE  LUMINESCENCE  BULK   Influences of initial nitridation process on the optical and structural characterization of GaN layer grown on sapphire (0001) by metalorganic chemical vapor deposition 会议论文 4th international conference on nitride semiconductors (icns-4), denver, colorado, jul 16-20, 2001 Sun XL; Yang H; Zhu JJ; Wang YT; Chen Y; Li GH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 GALLIUM NITRIDE  LUMINESCENCE  BULK