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上海微系统与信息... [199]
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期刊论文 [194]
学位论文 [5]
发表日期
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2010 [10]
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专题:上海微系统与信息技术研究所
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The Effect of AlN Nucleation Temperature on the Growth of AlN Films via Metalorganic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2012, 卷号: 41, 期号: 3, 页码: 466-470
Wang, H
;
Li, SL
;
Xiong, H
;
Wu, ZH
;
Dai, JN
;
Tian, Y
;
Fang, YY
;
Chen, CQ
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2013/04/17
Aluminum nitride
nucleation
pulsed atomic layer epitaxy
metalorganic chemical vapor deposition
Optical investigation of InAs/InP(100) quantum dots grown by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2012, 卷号: 55, 期号: 41308, 页码: 205-209
Li, SG
;
Gong, Q
;
Cao, CF
;
Wang, XZ
;
Yue, L
;
Liu, QB
;
Wang, HL
;
Wang, Y
收藏
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浏览/下载:84/0
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提交时间:2013/04/17
PL spectrum
InAs/InP quantum dot
GSMBE
Growth temperature
Properties of lattice matched quaternary InAlGaAs on InP substrate grown by gas source MBE
期刊论文
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 卷号: 31, 期号: 5, 页码: 385-+
Wang, K
;
Gu, Y
;
Fang, X
;
Zhou, L
;
Li, C
;
Li, HSBY
;
Zhang, YG
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/04/17
compound semiconductor
molecular beam epitaxy
InAlGaAs
X-ray diffraction
photoluminescence
Morphology and shape dependent characteristics of InAs/InP(100) quantum dot laser grown by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 2012, 卷号: 44, 期号: 10, 页码: 1983-1987
Li, SG
;
Gong, Q
;
Cao, CF
;
Wang, XZ
;
Yue, L
;
Yan, JY
;
Wang, HL
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/04/17
Temperature dependent lasing characteristics of InAs/InP(100) quantum dot laser
期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2012, 卷号: 15, 期号: 1, 页码: 86-90
Li, SG
;
Gong, Q
;
Cao, CF
;
Wang, XZ
;
Chen, P
;
Yue, L
;
Liu, QB
;
Wang, HL
;
Ma, CH
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/04/17
Semiconductor laser
Quantum dot laser
Indium phosphide
Gas source molecular beam epitaxy
Spectral Research on an AlGaAs Epitaxial Material for a Terahertz Quantum-cascade Laser
期刊论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2012, 卷号: 60, 期号: 8, 页码: 1267-1269
Tan, ZY
;
Cao, JC
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浏览/下载:97/0
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提交时间:2013/04/22
Grazing incidence spectrum
AlGaAs epitaxy material
Terahertz quantum-cascade laser
Optical investigation of InAs/InP(100) quantum dots grown by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2012, 卷号: 55, 期号: 41308, 页码: 205-209
Li, SG
;
Gong, Q
;
Cao, CF
;
Wang, XZ
;
Yue, L
;
Liu, QB
;
Wang, HL
;
Wang, Y
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2013/05/10
Instruments & Instrumentation
Physics
Optics
Applied
Morphology and shape dependent characteristics of InAs/InP(100) quantum dot laser grown by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 2012, 卷号: 44, 期号: 10, 页码: 1983-1987
Li, SG
;
Gong, Q
;
Cao, CF
;
Wang, XZ
;
Yue, L
;
Yan, JY
;
Wang, HL
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2013/05/10
Nanoscience & Nanotechnology
Physics
Condensed Matter
InP/InGaAs/InP DHBT structures with graded composition base grown by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 卷号: 323, 期号: 1, 页码: 525-528
Teng,T
;
Ai,LK
;
Xu,AH
;
Sun,H
;
Zhu,FY
;
Qi,M
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/04/10
ELSEVIER SCIENCE BV
Quantum dot lasers grown by gas source molecular-beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 卷号: 323, 期号: 1, 页码: 450-453
Gong, Q
;
Chen, P
;
Li, SG
;
Lao, YF
;
Cao, CF
;
Xu, CF
;
Zhang, YG
;
Feng, SL(封松林)
;
Ma, CH
;
Wang, HL
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/04/10
ELSEVIER SCIENCE BV
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