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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 852nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性 期刊论文 发光学报, 2012, 期号: 06, 页码: 640-646 徐华伟; 宁永强; 曾玉刚; 张星; 秦莉; 刘云; 王立军 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/03/11 激光器  AlGaInAs  量子阱  数值模拟   1.55-mu m InGaAs/InGaAlAs MQW vertical-cavity surface-emitting lasers with InGaAlAs/InP distributed Bragg reflectors 期刊论文 opt. laser technol., 2005, 卷号: 37, 期号: 2, 页码: 125, 130 Xia JN; Hoan B; Lee SG; Lee EH 收藏  |  浏览/下载：1141/223  |  提交时间：2009/09/18 vertical-cavity surface-emitting laser  distributed Bragg reflector  long wavelength   The evolution of inas/inalas/ingaalas quantum dots after rapid thermal annealing 期刊论文 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 59-63 作者:  Zhang, ZY;  Jin, P;  Li, CM;  Ye, XL;  Meng, XQ 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Low dimensional structures  Nanostructures  Quantum dots  Molecular beam epitaxy  Semiconducting iii-v materials  Laser diode   Effects of seed dot layer and thin gaas spacer layer on the structure and optical properties of upper in(ga)as quantum dots 期刊论文 Journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 11, 页码: 8898-8902 作者:  He, J;  Zhang, YC;  Xu, B;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12 Structure and optical properties of upper in(ga)as quantum dots on a different seed layer with a thin gaas spacer layer 期刊论文 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 49-54 作者:  He, J;  Zhang, YC;  Xu, B;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Molecular beam epitaxy  Nanomaterials  Semiconducting iii-v materials   Structure and optical properties of upper In(Ga)As quantum dots on a different seed layer with a thin GaAs spacer layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 49-54 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  molecular beam epitaxy  nanomaterials  semiconducting III-V materials  SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  GROWTH  INP   The evolution of InAs/InAlAs/InGaAlAs quantum dots after rapid thermal annealing 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 59-63 作者:  Xu B;  Jin P;  Li CM;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  nanostructures  quantum dots  molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  laser diode  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE   Effects of seed dot layer and thin GaAs spacer layer on the structure and optical properties of upper In(Ga)As quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 11, 页码: 8898-8902 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：262/9  |  提交时间：2010/08/12 SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  GROWTH  ISLANDS  NM   Fabrication of ingaas quantum dots with an underlying ingaalas layer on gaas(100) and high index substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 607-612 作者:  Jiang, WH 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dots  Ingaas/ingaalas  Adjusting layer  Molecular beam epitaxy  High index   Fabrication of InGaAs quantum dots with an underlying InGaAlAs layer on GaAs(100) and high index substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 607-612 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  InGaAs/InGaAlAs  adjusting layer  molecular beam epitaxy  high index  GAAS