CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
852nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 06, 页码: 640-646
徐华伟; 宁永强; 曾玉刚; 张星; 秦莉; 刘云; 王立军
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/03/11
Electro-absorption optical modulator integrated with a laser to produce high speed, uncooled, long distance, low power, 1550 nm optical communication device with optimized parameters 专利
专利号: US7809038, 申请日期: 2010-10-05, 公开日期: 2010-10-05
作者:  MAKINO, SHIGEKI
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24
Electro-absorption optical modulator integrated with a laser to produce high speed, uncooled, long distance, low power, 1550 nm optical communication device with optimized parameters 专利
专利号: US7809038, 申请日期: 2010-10-05, 公开日期: 2010-10-05
作者:  MAKINO, SHIGEKI
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24
1.55-mu m InGaAs/InGaAlAs MQW vertical-cavity surface-emitting lasers with InGaAlAs/InP distributed Bragg reflectors 期刊论文
opt. laser technol., 2005, 卷号: 37, 期号: 2, 页码: 125, 130
Xia JN; Hoan B; Lee SG; Lee EH
收藏  |  浏览/下载：1108/219  |  提交时间：2009/09/18
Optical semiconductor equipment 专利
专利号: US20040099859A1, 申请日期: 2004-05-27, 公开日期: 2004-05-27
作者:  NAKAHARA, KOUJI;  TSUCHIYA, TOMONOBU;  TAIKE, AKIRA;  SHINODA, KAZUNORI
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/18
The evolution of inas/inalas/ingaalas quantum dots after rapid thermal annealing 期刊论文
Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 59-63
作者:  Zhang, ZY;  Jin, P;  Li, CM;  Ye, XL;  Meng, XQ
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12
Effects of seed dot layer and thin gaas spacer layer on the structure and optical properties of upper in(ga)as quantum dots 期刊论文
Journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 11, 页码: 8898-8902
作者:  He, J;  Zhang, YC;  Xu, B;  Wang, ZG
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12
Structure and optical properties of upper in(ga)as quantum dots on a different seed layer with a thin gaas spacer layer 期刊论文
Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 49-54
作者:  He, J;  Zhang, YC;  Xu, B;  Wang, ZG
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/05/12
Structure and optical properties of upper In(Ga)As quantum dots on a different seed layer with a thin GaAs spacer layer 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 49-54
作者:  Xu B
收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/08/12
The evolution of InAs/InAlAs/InGaAlAs quantum dots after rapid thermal annealing 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 59-63
作者:  Xu B;  Jin P;  Li CM;  Ye XL
收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace