852nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性

	852nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性
	徐华伟 ; 宁永强 ; 曾玉刚 ; 张星 ; 秦莉 ; 刘云 ; 王立军
刊名	发光学报
	2012-06-15
期号	06 页码:640-646
关键词	激光器 AlGaInAs 量子阱数值模拟
公开日期	2013-03-11
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/27239]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	徐华伟,宁永强,曾玉刚,等. 852nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性[J]. 发光学报,2012(06):640-646.
APA	徐华伟.,宁永强.,曾玉刚.,张星.,秦莉.,...&王立军.(2012).852nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性.发光学报(06),640-646.
MLA	徐华伟,et al."852nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性".发光学报 .06(2012):640-646.