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半导体研究所 [22]
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学科主题
半导体材料 [22]
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学科主题:半导体材料
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High efficiency and high power continuous-wave semiconductor terahertz lasers at similar to 3.1 THz
期刊论文
solid-state electronics, 2013, 卷号: 81, 页码: 68-71
Liu, Junqi
;
Chen, Jianyan
;
Wang, Tao
;
Li, Yanfang
;
Liu, Fengqi
;
Li, Lu
;
Wang, Lijun
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2013/09/17
High efficiency and high power continuous-wave semiconductor terahertz lasers at3.1 THz
期刊论文
solid-state electronics, 2013, 卷号: 81, 页码: 68–71
Junqi Liu , Jianyan Chen , Tao Wang , Yanfang Li , Fengqi Liu ,LuLi , Lijun Wang ,Zhanguo Wang
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2014/02/12
Terahertz
Semiconductor laser
Quantum cascade laser
Continuous-wave
High-power quantum dot superluminescent diode with integrated optical amplifier section
期刊论文
electronics letters, 2011, 卷号: 47, 期号: 21, 页码: 1191-
Wang, ZC
;
Jin, P
;
Lv, XQ
;
Li, XK
;
Wang, ZG
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/02/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
SPECTRUM
A high-power tapered and cascaded active multimode interferometer semiconductor laser diode
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 54007
Lai, Weijiang
;
Cheng, Yuanbing
;
Yao, Chen
;
Zhou, Daibing
;
Bian, Jing
;
Zhao, Lingjuan
;
Wu, Jian
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/06/14
Diodes
High power lasers
Interferometers
Power electronics
Semiconductor diodes
Comparison of as-grown and annealed GaN/InGaN:Mg samples
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 345101
Deng QW
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yin HB
;
Chen H
;
Lin DF
;
Jiang LJ
;
Feng C
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Hou X
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/01/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
BAND-GAP
MG
PHOTOLUMINESCENCE
INGAN
DEPENDENCE
STRAIN
ENERGY
INN
Electron concentration dependence of exciton localization and freeze-out at local potential fluctuations in InN films
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2010, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 139-143
Liu B
;
Zhang Z
;
Zhang R
;
Fu DY
;
Xie ZL
;
Lu H
;
Schaff WJ
;
Song LH
;
Cui YC
;
Hua XM
;
Han P
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
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浏览/下载:196/52
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提交时间:2010/04/28
BAND-GAP
TEMPERATURE-DEPENDENCE
ENERGY
SEMICONDUCTORS
SPECTRA
EPITAXY
GROWTH
LAYERS
Transport properties in a gated heterostructure with a trapezoidal AlxGa1-xAs barrier layer
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 41, 期号: 8, 页码: 1379-1381
作者:
Liu J
;
Zhu H
收藏
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浏览/下载:73/2
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提交时间:2010/03/08
HEMT
2DEG
An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application
期刊论文
solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:
Zhang ML
;
Hou QF
收藏
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浏览/下载:129/30
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMT
MOCVD
SiC substrate
Power device
The influence of 1 nm AlN interlayer on properties of the Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure
期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 777-781
Guo, LC
;
Wang, XL
;
Wang, CM
;
Mao, HL
;
Ran, JX
;
Luo, WJ
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Fang, CB
;
Hu, GX
收藏
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浏览/下载:94/1
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提交时间:2010/03/08
GaN
HEMT
2DEG
mobility
polarization
High-performance 2 mm gate width GaNHEMTs on 6H-SiC with output power of 22.4 W @ 8 GHz
期刊论文
solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929
Wang, XL
;
Chen, TS
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Luo, WJ
;
Tang, J
;
Guo, LC
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:77/1
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMTs
SiC
power
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