中国开放科研知识云: 检索

验证码:

换一张

忘记密码？记住我

取消登录

CORC

首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务

在结果中检索

科研机构

大连理工大学 [8]

西安交通大学 [1]

兰州大学 [1]

海洋研究所 [1]

内容类型

期刊论文 [11]

发表日期

学科主题

Biochemist... [1]

知识图谱

CORC

已提交作品

待认领作品

已认领作品

未提交全文

浏览/检索结果: 共11条，第1-10条

帮助

已选(0)清除条数/页：排序方式：
	An overview on the origin of adakites/adakitic rocks and related porphyry Cu-Au mineralization, Northern Luzon, Philippines 期刊论文 ORE GEOLOGY REVIEWS, 2020, 卷号: 124, 页码: 23 作者: Deng, Jianghong; Yang, Xiaoyong; Zhang, Li-peng; Duan, Liuan; Mastoi, Abdul Shakoor 收藏 \| 浏览/下载：26/0 \| 提交时间：2020/10/26 Adakite Porphyry Cu-Au deposit Epithermal Au deposit Ridge subduction Slab melting Fractional crystallization
	Self-powered GaN ultraviolet photodetectors with p-NiO electrode grown by thermal oxidation 期刊论文 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2018, 卷号: 76, 页码: 61-64 作者: Li, Liuan; Liu, Zhangcheng; Wang, Lei; Zhang, Baijun; Liu, Yang 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2019/11/26 Ultraviolet photodetector Self-powered GaN P-NiO electrode
	Plasma-assisted ohmic contact for AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 卷号: 31 作者: Zhang, Jiaqi; Wang, Lei; Wang, Qingpeng; Jiang, Ying; Li, Liuan 收藏 \| 浏览/下载：5/0 \| 提交时间：2019/12/09 AlGaN/GaN HFET ICP treatment recess structure low-temperature ohmic contact
	Improvement of device isolation using field implantation for GaN MOSFETs 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 卷号: 31 作者: Jiang, Ying; Wang, Qingpeng; Zhang, Fuzhe; Li, Liuan; Shinkai, Satoko 收藏 \| 浏览/下载：1/0 \| 提交时间：2019/12/09 GaN MOSFET field isolation ion implantation low off-state drain current
	A self-aligned gate GaN MOSFET using an ICP-assisted low-temperature Ohmic process 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2015, 卷号: 30, 页码: - 作者: Wang, Qingpeng; Jiang, Ying; Zhang, Jiaqi; Kawaharada, Kazuya; Li, Liuan 收藏 \| 浏览/下载：7/0 \| 提交时间：2019/12/09 self-aligned gate GaN MOSFET inductively coupled plasma low-temperature Ohmic
	Gate-first GaN MOSFET based on dry-etching-assisted non-annealing ohmic process 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2015, 卷号: 8, 页码: - 作者: Wang, Qingpeng; Jiang, Ying; Zhang, Jiaqi; Li, Liuan; Kawaharada, Kazuya 收藏 \| 浏览/下载：2/0 \| 提交时间：2019/12/09
	Effects of recess process and surface treatment on the threshold voltage of GaN MOSFETs fabricated on a AlGaN/GaN heterostructure 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2015, 卷号: 30, 页码: - 作者: Wang, Qingpeng; Jiang, Ying; Zhang, Jiaqi; Kawaharada, Kazuya; Li, Liuan 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2019/12/09 GaN MOSFET recess gate etching damage enhancement mode
	Reduction of leakage current by O-2 plasma treatment for device isolation of AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2015, 卷号: 351, 页码: 1155-1160 作者: Jiang, Ying; Wang, Qingpeng; Zhang, Fuzhe; Li, Liuan; Zhou, Deqiu 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2019/12/09 GaN AlGaN/GaN HFET Mesa isolation O-2 plasma treatment Leakage current
	Characterization of GaN MOSFETs on AlGaN/GaN Heterostructure With Variation in Channel Dimensions 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2014, 卷号: 61, 页码: 498-504 作者: Wang, Qingpeng; Jiang, Ying; Li, Liuan; Wang, Dejun; Ohno, Yasuo 收藏 \| 浏览/下载：1/0 \| 提交时间：2019/12/09 Dry recess effective channel length field isolation GaN MOSFET
	Process dependency on threshold voltage of GaN MOSFET on AlGaN/GaN heterostructure 期刊论文 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2014, 卷号: 99, 页码: 59-64 作者: Wang, Qingpeng; Jiang, Ying; Miyashita, Takahiro; Motoyama, Shin-ichi; Li, Liuan 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2019/12/09 GaN MOSFET AlGaN/GaN heterostructure Dry etching Threshold voltage Nitrogen vacancy

相关链接
欧盟学术资源开放存取平台
CALIS高校机构知识库
台湾学术机构典藏
香港机构知识库整合系统
中国科学院机构知识库网格系统

CORC
关于我们
服务条款
隐私条款

联系我们
0931-8270076
cspace@llas.ac.cn
China-OR

中文简体

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace