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Somatic alterations of TP53, ERBB2, PIK3CA and CCND1 are associated with chemosensitivity for breast cancers 期刊论文
CANCER SCIENCE, 2019, 卷号: 110, 期号: 4
作者:  Yang, Libo;  Ye, Feng;  Bao, Longlong;  Zhou, Xiaoyan;  Wang, Zhe
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Somatic alterations of TP53, ERBB2, PIK3CA and CCND1 were associated with chemosensitivity for breast cancers. 期刊论文
Cancer science, 2019
作者:  Libo Yang;  Feng Ye;  Longlong Bao;  Xiaoyan Zhou;  Zhe Wang
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形成纳米线阵列的方法 专利
专利号: CN201410766450.1, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-07-06
作者:  洪培真;  徐秋霞;  殷华湘;  李俊峰;  赵超
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半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201210497474.2, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-06-11
作者:  秦长亮;  王桂磊;  洪培真;  尹海洲;  殷华湘
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/03/26
半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201310269697.8, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-12-31
作者:  秦长亮;  徐强;  洪培真;  殷华湘
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鳍式场效应晶体管及其假栅的制造方法 专利
专利号: CN201410392773.9, 申请日期: 2018-07-10, 公开日期: 2016-02-17
作者:  洪培真;  殷华湘;  朱慧珑;  刘青;  李俊峰
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一种自对准接触孔刻蚀工艺方法 专利
专利号: CN201310438771.4, 申请日期: 2018-06-26, 公开日期: 2015-03-25
作者:  李俊杰;  李春龙;  李俊峰;  王文武;  洪培真
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半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201310173339.7, 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2014-11-12
作者:  秦长亮;  洪培真;  尹海洲;  殷华湘;  李俊峰
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/03/21
半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210246436.X, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2014-01-29
作者:  秦长亮;  洪培真;  殷华湘
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一种硅深孔刻蚀方法 专利
专利号: CN201410571338.2, 申请日期: 2018-02-09, 公开日期: 2016-05-18
作者:  赵超;  李俊杰;  孟令款;  李春龙;  洪培真
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