半导体器件制造方法

	半导体器件制造方法
	秦长亮; 徐强; 洪培真; 殷华湘; 尹海洲; 李俊峰; 赵超
	2018-11-06
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201310269697.8
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种半导体器件制造方法，在CMOS后栅工艺的双应变应力层的集成工艺中，在打开虚设栅极之后、形成栅极凹槽之前，采用氮等离子体，对暴露的部分张应力层进行处理，使得张应力层在随后的腐蚀工艺中不被去除，避免了器件性能降低甚至失效。氮等离子处理工艺与常规工艺兼容，在未明显增加工艺复杂性的情况下，提高了器件良率。
公开日期	2014-12-31
申请日期	2013-06-28
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18862]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	秦长亮,徐强,洪培真,等. 半导体器件制造方法. CN201310269697.8. 2018-11-06.