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兰州大学 [13]
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期刊论文 [13]
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2012 [1]
2011 [1]
2010 [1]
2009 [1]
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学科主题
physics [13]
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学科主题:physics
专题:兰州大学
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Effect of Ar ion irradiation on the room temperature ferromagnetism of undoped and Cu-doped rutile TiO2 single crystals
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 1-11
作者:
Xu, NN
;
Li, GP
;
Lin, QL
;
Liu, H
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提交时间:2017/05/09
single-crystal TiO2
Cu ion implantation
Ar ion irradiation/post-irradiation
room-temperature ferromagnetism
Study on the optical characteristic of "black silicon" antireflection coating prepared by plasma immersion ion implantation
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 14, 页码: -
作者:
Liu, J
;
Liu, BW
;
Xia, Y
;
Li, CB
;
Liu, S
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/05/25
plasma immersion ion implantation
refractive index
antireflection coating
black silicon
Effect of Co+ implantation on structural and optical properties in single-crystal TiO2
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 11, 页码: 492-496
作者:
Li, TJ
;
Li, GP
;
Ma, JP
;
Gao, XX
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/12/15
Co
TiO2
ion implantation
doped
钴
二氧化钛
离子注入
掺杂
The structural, magnetic, and optical properties of ZnO (0001) wafers implanted with Co ions
期刊论文
SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2010, 卷号: 53, 期号: 10, 页码: 1819-1822
作者:
Li, TJ
;
Li, GP
;
Chen, JS
;
Gao, XX
;
Pan, XD
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/12/15
Co
ZnO
ion implantation
ferromagnetism
Effects of Ti ion implantation and post-thermal annealing on the structural and optical properties of ZnS films
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2009, 卷号: 58, 期号: 10, 页码: 7108-7113
作者:
Su, HQ
;
Xue, SW
;
Chen, M
;
Li, ZJ
;
Yuan, ZL
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/05/25
ZnS thin films
ion implantation
x-ray diffraction
photoluminescence
Effects of different ions implantation on yellow luminescence from GaN
期刊论文
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2008, 卷号: 403, 期号: 17, 页码: 2666-2670
作者:
You, W
;
Zhang, XD
;
Zhang, LM
;
Yang, Z
;
Bian, H
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/12/15
ion implantation
photoluminescence
yellow luminescence
gallium nitride (GaN)
Effects of ion implantation on yellow luminescence in unintentional doped n-type GaN
期刊论文
CENTRAL EUROPEAN JOURNAL OF PHYSICS, 2008, 卷号: 6, 期号: 2, 页码: 283-288
作者:
Zhang, LM
;
Zhang, XD
;
You, W
;
Yang, Z
;
Wang, WX
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/12/15
gallium nitride (GaN)
photoluminescence spectra
ion implantation
Broadband yellow luminescence in the photoluminescence spectra of n-GaN implanted by the different ions
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2006, 卷号: 55, 期号: 10, 页码: 5487-5493
作者:
Zhang, XD
;
Lin, DX
;
Li, GP
;
You, W
;
Zhang, LM
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/12/15
gallium nitride
photoluminescence spectra
ion implantation
Effect of ion flux on recrystallization and resistance lowering in phosphorus-implanted (0001)-oriented 4H-SiC
期刊论文
CHINESE PHYSICS, 2005, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 599-603
作者:
Xin, G
;
Sun, GS
;
Li, JM
;
Zhang, YX
;
Lei, W
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/05/25
ion implantation
silicon carbide
phosphorus
photoluminescence
Research on molecular modification of L(+)-cysteine induced by 110 keV Fe+ ion beam irradiation
期刊论文
HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 2003, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: 460-464
作者:
Yuan, SB
;
Wei, ZQ
;
Li, WJ
;
Gao, QX
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提交时间:2015/12/14
low-energy ion implantation
L(+)-cysteine
radiation effect
molecular modification
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