Broadband yellow luminescence in the photoluminescence spectra of n-GaN implanted by the different ions

	Broadband yellow luminescence in the photoluminescence spectra of n-GaN implanted by the different ions
	Zhang, XD; Lin, DX; Li, GP; You, W; Zhang, LM; Zhang, Y; Liu, ZM
刊名	ACTA PHYSICA SINICA
	2006-10
卷号	55 期号:10 页码:5487-5493
关键词	gallium nitride photoluminescence spectra ion implantation
ISSN号	1000-3290
其他题名	离子注入n型GaN光致发光谱中宽黄光发射带研究
通讯作者	Zhang, XD (reprint author), Lanzhou Univ, Dept Modern Phys, Lanzhou 730000, Peoples R China.
中文摘要	利用离子注入方法和光致发光技术系统研究了注入离子对n型GaN宽黄光发射带的影响.实验采用的注入离子为:N,O,Mg,Si和Ga,剂量分别为1013,1014,1015和1016/cm2,注入温度为室温.注入后的样品在900℃流动氮气环境下进行热退火,退火时间为10min,并对退火前后的样品分别进行室温光致发光测量.通过实验数据的分析,独立提出了提取注入离子对晶体黄光发光特性影响的半经验模型.利用该模型导出的公式,可以确定注入的N,O,Ga,Mg和Si离子对黄光发射带的影响随注入剂量的变化关系以及该影响的相对强弱.
学科主题	Physics
出版地	BEIJING
语种	中文
WOS记录号	WOS:000241215200084
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/116762]
专题	核科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	Zhang, XD,Lin, DX,Li, GP,et al. Broadband yellow luminescence in the photoluminescence spectra of n-GaN implanted by the different ions[J]. ACTA PHYSICA SINICA,2006,55(10):5487-5493.
APA	Zhang, XD.,Lin, DX.,Li, GP.,You, W.,Zhang, LM.,...&Liu, ZM.(2006).Broadband yellow luminescence in the photoluminescence spectra of n-GaN implanted by the different ions.ACTA PHYSICA SINICA,55(10),5487-5493.
MLA	Zhang, XD,et al."Broadband yellow luminescence in the photoluminescence spectra of n-GaN implanted by the different ions".ACTA PHYSICA SINICA 55.10(2006):5487-5493.