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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [6]
会议论文 [1]
发表日期
2003 [1]
2001 [1]
2000 [2]
1998 [2]
1994 [1]
学科主题
半导体物理 [7]
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学科主题:半导体物理
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The micro-magnetic structures of Mn+ ion-implanted GaSb
期刊论文
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 6a, 页码: 3389-3391
Zhang FQ
;
Chen NF
;
Liu ZK
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Yang JL
;
Wu JL
;
Lin LY
;
Callaghan FD
;
Li T
;
Foxton CT
;
Bates CA
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浏览/下载:100/0
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提交时间:2010/08/12
magnetic micro-structures
GaSb
MFM
magnetic domain
ion implantation
FORCE MICROSCOPE
SEMICONDUCTORS
GAMNAS
The effects of pre-irradiation on the formation of Si1-xCx alloys
期刊论文
acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 7, 页码: 1329-1333
Wang YS
;
Li JM
;
Wang YB
;
Wang YT
;
Sun GS
;
Lin LY
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浏览/下载:83/9
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提交时间:2010/08/12
ion implantation
solid phase epitaxy
Si1-xCx alloy
SI
IMPLANTATION
CARBON
Properties of proton-implanted p-type Si: supports for the models explaining a novel p-n junction in Si
期刊论文
nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2000, 卷号: 160, 期号: 1, 页码: 190-193
Li JM
;
Gao M
;
Duan XF
;
Wang FL
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
silicon
ion implantation
electrical properties of semiconductors
defect
ION-IMPLANTATION
SILICON
The formation and characteristics of Si1-xCx alloys in Si crystals by means of implantation of cions with different doses
期刊论文
acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2210-2213
Wang YS
;
Li JM
;
Jin YF
;
Wang YT
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2010/08/12
Si1-xCx alloy
ion implantation
solid phase epitaxy
CARBON
Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001)
期刊论文
revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 期号: 0, 页码: 85-88
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/08/12
diffusion
implantation
Ge ion
BF2 ion
ION-IMPLANTATION
REGROWTH
SILICON
LAYERS
ELECTRICAL-PROPERTIES
Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001)
会议论文
14th latin american symposiumm on solid state physics, oaxaca, mexico, jan 11-16, 1998
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2010/11/15
ELECTRICAL-PROPERTIES
ION-IMPLANTATION
REGROWTH
SILICON
LAYERS
RBS STUDIES OF THE LATTICE DAMAGE CAUSED BY 1 MEV SI+ IMPLANTATION INTO AL0.3GA0.7AS/GAAS SUPERLATTICES AT ELEVATED-TEMPERATURE
期刊论文
nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1994, 卷号: 90, 期号: 0, 页码: 392-395
XU TB
;
ZHU PR
;
ZHOU JS
;
LI DQ
;
GONG B
;
WAN Y
;
MU SM
;
ZHAO QT
;
WANG ZL
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/15
ION-IMPLANTATION
AMORPHIZATION
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