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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2000 [2]
学科主题
半导体物理 [2]
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学科主题:半导体物理
发表日期:2000
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Properties of proton-implanted p-type Si: supports for the models explaining a novel p-n junction in Si
期刊论文
nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2000, 卷号: 160, 期号: 1, 页码: 190-193
Li JM
;
Gao M
;
Duan XF
;
Wang FL
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提交时间:2010/08/12
silicon
ion implantation
electrical properties of semiconductors
defect
ION-IMPLANTATION
SILICON
The formation and characteristics of Si1-xCx alloys in Si crystals by means of implantation of cions with different doses
期刊论文
acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2210-2213
Wang YS
;
Li JM
;
Jin YF
;
Wang YT
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:59/0
  |  
提交时间:2010/08/12
Si1-xCx alloy
ion implantation
solid phase epitaxy
CARBON
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