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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM 会议论文 作者:  Yan, Weiwei;  Wang, Bin;  Zeng, Chuanbin;  Geng, Chao;  Liu, Tianqi 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2018/08/20 Heavy ion irradiation  Single event upset  Active delay element  SRAM cell  Radiation hardened  Silicon-on-insulator   A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2017, 卷号: 406, 页码: 437-442 作者:  Wang, Bin;  Zeng, Chuanbin;  Geng, Chao;  Liu, Tianqi;  Khan, Maaz 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2018/05/31 Heavy ion irradiation  Single event upset  Active delay element  SRAM cell  Radiation hardened  Silicon-on-insulator   Direct measurement and analysis of total ionizing dose effect on 130 nm PD SOI SRAM cell static noise margin 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1-5 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen);  Cui, JW (Cui, Jiangwei);  Liu, MX (Liu, Mengxin);  Su, DD (Su, Dandan);  Zhou, H (Zhou, Hang) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2017/12/05 Silicon-on-insulator  Total Ionizing Dose  Static Random Access Memory  Static Noise Margin   Emp10 encodes a mitochondrial PPR protein that affects the cis-splicing of nad2 intron 1 and seed development in maize 期刊论文 PLANT JOURNAL, 2017, 卷号: 91, 期号: 1, 页码: 132-144 作者:  Cai, Manjun;  Li, Shuzhen;  Sun, Feng;  Sun, Qin;  Zhao, Hailiang 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/11 empty pericarp  intron splicing  complex I  basal endosperm transfer  layer  alternative oxidase  Zea mays