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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of Mn-implanted n-Si by low-energy ion beam deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 458-463 作者:  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/03/17 auger electron spectroscopy   Structural, magnetic properties and photoemission study of Ni-doped ZnO 期刊论文 solid state communications, 2005, 卷号: 135, 期号: 7, 页码: 430-433 作者:  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：31/12  |  提交时间：2010/03/17 diluted magnetic semiconductors   (Ga, Gd, As) film growth on GaAs substrate by low-energy ion-beam deposit 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 451-455 Song SL; Chen NF; Zhou JP; Li YL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK 收藏  |  浏览/下载：356/46  |  提交时间：2010/03/09 auger electron spectroscopy   Properties of high k gate dielectric gadolinium oxide deposited on Si(100) by dual ion beam deposition (DIBD) 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 1-2, 页码: 21-29 Zhou JP; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Song SL; Li YL; Chen NF 收藏  |  浏览/下载：143/35  |  提交时间：2010/03/09 auger electron spectroscopy   Anomalous temperature dependence of photoluminescence from stoichiometric GD(2)O(3-x) film 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 1-2, 页码: 136-142 Zhou JP; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Song SL; Chen NF 收藏  |  浏览/下载：107/14  |  提交时间：2010/03/09 photoluminescence   Effect of the oxygen concentration on the properties of Gd2O3 thin films 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 3-4, 页码: 548-552 作者:  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：141/41  |  提交时间：2010/03/09 dielectric constant   Magnetic properties of silicon doped with gadolinium 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2003, 卷号: 77, 期号: 3-4, 页码: 599-602 Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：321/10  |  提交时间：2010/08/12 METAL-INSULATOR-TRANSITION  BEAM EPITAXY TECHNIQUE  SEMICONDUCTING SILICIDES  INDUCED FERROMAGNETISM  FILMS  MAGNETORESISTANCE  TEMPERATURE  ALLOYS   GdxSi grown with mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 3-4, 页码: 389-394 Zhou JP; Chen NF; Zhang FQ; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 Auger electron spectroscopy  X-ray diffraction  X-ray photoelectron spectroscopy  ion beam epitaxy  semiconducting gadolinium silicide  SEMICONDUCTING SILICIDES  MAGNETIC SEMICONDUCTORS  TRANSITION  INSULATOR  SILICON  FILMS