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半导体研究所 [27]
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学科主题
半导体材料 [27]
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学科主题:半导体材料
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High-Voltage AlGaN/GaN-Based Lateral Schottky Barrier Diodes
期刊论文
chinese physics letters, 2014, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 068502
Kang, H
;
Wang, Q
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Jiang, LJ
;
Feng, C
;
Chen, H
;
Yin, HB
;
Wang, XL
;
Wang, ZG
;
Hou, X
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2015/03/25
Competitive growth mechanisms of AlN on Si (111) by MOVPE
期刊论文
scientific reports, 2014, 卷号: 4, 页码: 6416
Feng, YX
;
Wei, HY
;
Yang, SY
;
Chen, Z
;
Wang, LS
;
Kong, SS
;
Zhao, GJ
;
Liu, XL
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2015/03/25
Morphology and structure controlled growth of one-dimensional AlN nanorod arrays by hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
rsc advances, 2014, 卷号: 4, 期号: 97, 页码: 54902-54906
Kong, SS
;
Wei, HY
;
Yang, SY
;
Li, HJ
;
Feng, YX
;
Chen, Z
;
Liu, XL
;
Wang, LS
;
Wang, ZG
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2015/03/20
Significant quality improvement of GaN on Si upon formation of an AlN defective layer
期刊论文
crystengcomm, 2014, 卷号: 16, 期号: 32, 页码: 7525-7528
Feng, YX
;
Wei, HY
;
Yang, SY
;
Zhang, H
;
Kong, SS
;
Zhao, GJ
;
Liu, XL
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2015/03/25
Interface roughness scattering considering the electrical field fluctuation in undoped AlxGa1-xN/GaN heterostructures
期刊论文
semiconductor science and technology, 2014, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 045015
Feng, YX
;
Liu, GP
;
Yang, SY
;
Wei, HY
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2015/04/02
Two-dimensional electron and hole gases in InxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN heterostructure for enhancement mode operation
期刊论文
journal of applied physics, 2014, 卷号: 116, 期号: 5, 页码: 054502
Yan, JD
;
Wang, XL
;
Wang, Q
;
Qu, SQ
;
Xiao, HL
;
Peng, EC
;
Kang, H
;
Wang, CM
;
Feng, C
;
Yin, HB
;
Jiang, LJ
;
Li, BQ
;
Wang, ZG
;
Hou, X
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2015/03/25
Analysis of transconductance characteristic of AlGaN/GaN HEMTs with graded AlGaN layer
期刊论文
european physical journal-applied physics, 2014, 卷号: 66, 期号: 2, 页码: 20101
Qu, SQ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Hou, X
;
Wang, CM
;
Jiang, LJ
;
Feng, C
;
Chen, H
;
Yin, HB
;
Peng, EC
;
Kang, H
;
Wang, ZG
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2015/04/02
Analysis of GaN cap layer effecting on critical voltage for electrical degradation of AlGaN/GaN HEMT
期刊论文
european physical journal-applied physics, 2014, 卷号: 68, 期号: 1, 页码: 10105
Qu, SQ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Jiang, LJ
;
Feng, C
;
Chen, H
;
Yin, HB
;
Yan, JD
;
Peng, EC
;
Kang, H
;
Wang, ZG
;
Hou, X
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2015/03/20
Effect of growth temperature on surface morphology and structure of InAs/GaSb superlattices grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2012, 卷号: 359, 页码: 55-59
Li LG (Li, Li-Gong)
;
Liu SM (Liu, Shu-Man)
;
Luo S (Luo, Shuai)
;
Yang T (Yang, Tao)
;
Wang LJ (Wang, Li-Jun)
;
Liu JQ (Liu, Jun-Qi)
;
Liu FQ (Liu, Feng-Qi)
;
Ye XL (Ye, Xiao-Ling)
;
Xu B (Xu, Bo)
;
Wang ZG (Wang, Zhan-Guo)
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2013/03/26
Numerical optimization of carrier confinement characteristics in (AlxGa1-xN/AlN)SLs/GaN heterostructures
期刊论文
physica b-condensed matter, 2012, 卷号: 407, 期号: 18, 页码: 3920-3924
Ding JQ (Ding, Jieqin)
;
Wang XL (Wang, Xiaoliang)
;
Xiao HL (Xiao, Hongling)
;
Wang CM (Wang, Cuimei)
;
Yin HB (Yin, Haibo)
;
Chen H (Chen, Hong)
;
Feng C (Feng, Chun)
;
Jiang LJ (Jiang, Lijuan)
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2013/03/27
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