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半导体研究所 [23]
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2008 [1]
2007 [2]
2006 [1]
2001 [4]
2000 [12]
1999 [2]
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学科主题
半导体材料 [23]
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学科主题：半导体材料
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Study of the wetting layer of InAs/GaAs nanorings grown by droplet epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 6, 页码: art. no. 063122
Zhao, C
;
Chen, YH
;
Xu, B
;
Tang, CG
;
Wang, ZG
;
Ding, F
收藏
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浏览/下载：43/0
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提交时间：2010/03/08
QUANTUM DOTS
INAS
Carrier channels of multimodal-sized quantum dots: A surface-mediated adatom migration picture
期刊论文
physical review b, 2007, 卷号: 76, 期号: 12, 页码: art.no.125404
Ding F (Ding Fei)
;
Chen YH
;
Tang CG
;
Xu B (Xu Bo)
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载：35/0
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提交时间：2010/03/29
TEMPERATURE-DEPENDENCE
Anomalous photoluminescence of InAs quantum dots implanted by Mn ions
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2007, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 221-225
作者:
Ye XL
收藏
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浏览/下载：55/0
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提交时间：2010/03/29
photoluminescence
Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 207-210
作者:
Jin P
;
Xu B
收藏
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浏览/下载：35/0
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提交时间：2010/04/11
growth interruption
in segregation
surface oxide
molecular beam epitaxy
quantum dots
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
PHOTOLUMINESCENCE
LAYER
SHAPE
SIZE
Influence of growth conditions on self-assembled InAs nanostructures grown on (001)InP substrate by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 518-522
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载：105/8
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提交时间：2010/08/12
molecular beam epitaxy
semiconductor III-V materials
QUANTUM DOTS
SURFACE-MORPHOLOGY
LOW-THRESHOLD
INP
INP(001)
LUMINESCENCE
ORGANIZATION
ISLANDS
LAYER
Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载：11/0
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提交时间：2010/11/15
low dimensional structures
molecular beam epitaxy
nanomaterials
INAS ISLANDS
GAAS
GROWTH
GAAS(100)
THICKNESS
DENSITY
Optical properties of InGaAs quantum dots formed on InAlAs wetting layer
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 224, 期号: 1-2, 页码: 41-46
作者:
Xu B
;
Ye XL
收藏
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浏览/下载：77/2
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提交时间：2010/08/12
nanostructures
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
ELECTRON-PHONON INTERACTIONS
TEMPERATURE-DEPENDENCE
SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS
CARRIER TRANSFER
INAS
GAAS
LASERS
ISLANDS
GROWTH
GAIN
Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 1005-1009
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载：125/19
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提交时间：2010/08/12
low dimensional structures
molecular beam epitaxy
nanomaterials
INAS ISLANDS
GAAS
GROWTH
GAAS(100)
THICKNESS
DENSITY
The effect of substrate orientation on the morphology of InAs nanostructures on (001) and (11n)A/B(n=1-5) InP substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 203-208
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载：33/0
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提交时间：2010/08/12
high-index InP substrate
In(Ca)As nanostructures
MBE
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
INGAAS QUANTUM DOTS
ORIENTED GAAS
OPTICAL CHARACTERIZATION
ISLANDS
Two-dimensional ordering of self-assembled InAs quantum dots grown on (311)B InP substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 1-2, 页码: 17-21
作者:
Ye XL
;
Xu B
收藏
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浏览/下载：35/0
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提交时间：2010/08/12
quantum dots
molecular beam epitaxy
high index
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
STRAINED ISLANDS
GAAS
ORGANIZATION
INP(001)
LASERS
INGAAS
LAYER
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