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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    发表日期：2011     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Jia CH;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：118/2  |  提交时间：2011/07/05 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  a-Plane InN  INDIUM NITRIDE  MOVPE GROWTH  CUBIC INN  SAPPHIRE  GAN  MBE   Anomalous linear photogalvanic effect observed in a GaN-based two-dimensional electron gas 期刊论文 physical review b, 2011, 卷号: 84, 期号: 7, 页码: 75341 作者:  Jiang CY 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2011/09/14 PHOTOMAGNETISM  METALS   Microwave Study of FeSe(0.3)Te(0.7) Thin Film by TE(011)-Mode Sapphire Dielectric Resonator 期刊论文 ieee transactions on applied superconductivity, 2011, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 599-601 Wu, Y; Zhou, SY; Wang, XY; Cao, LX; Zhang, XQ; Luo, S; He, YS; Barannik, AA; Cherpak, NT; Skresanov, VN 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/02/06 Cavity resonator  microwave measurement  multi-gap  node   Well-aligned Zn-doped tilted InN nanorods grown on r-plane sapphire by MOCVD 期刊论文 nanotechnology, 2011, 卷号: 22, 期号: 23, 页码: article no.235603 作者:  Song HP 收藏  |  浏览/下载：69/3  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SEMICONDUCTOR NANOWIRES  NITRIDE NANOTUBES  GAN  EMISSION  MECHANISM   GaN grown with InGaN as a weakly bonded layer 期刊论文 crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 1580-1585 作者:  Wei HY;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：63/4  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SI(001) SUBSTRATE  STRAIN  EPITAXY   Observation of the photoinduced anomalous Hall effect in GaN-based heterostructures 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: article no.122104 作者:  Yu JL 收藏  |  浏览/下载：44/2  |  提交时间：2011/07/05 Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO(2)(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 245402 Fu D; Zhang R; Liu B; Xie ZL; Xiu XQ; Gu SL; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/02/06 FUNDAMENTAL-BAND GAP  INDIUM NITRIDE  BUFFER LAYER  DEPENDENCE  SAPPHIRE  MOCVD   Determination of InN/Diamond Heterojunction Band Offset by X-ray Photoelectron Spectroscopy 期刊论文 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.50 作者:  Wei HY;  Song HP;  Zhang B 收藏  |  浏览/下载：64/2  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  CORE-LEVEL PHOTOEMISSION  SB-DOPED SNO2  INN  GROWTH  GAN  NAXWO3  ALLOYS  GREEN  STATE   Microwave Study of FeSe0.3Te0.7 Thin Film by TE011-Mode Sapphire Dielectric Resonator 期刊论文 ieee transactions on applied superconductivity, 2011, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 599-601 作者:  Wang XY 收藏  |  浏览/下载：58/4  |  提交时间：2011/07/15 Cavity resonator  microwave measurement  multi-gap  node