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MOVPE-Growth of InGaSb/AlP/GaP(001) Quantum Dots for Nanoscale Memory Applications
期刊论文
Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2018, 卷号: 255, 期号: 12, 页码: 7
作者:
Sala, E. M.
;
Arikan, I. F.
;
Bonato, L.
;
Bertram, F.
;
Veit, P.
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/09/17
AlP barrier
GaP
InGaSb
MOVPE growth
nanoscale memory
quantum dots
hole localization
ohmic contacts
luminescence
resistance
Physics
Effects of reaction-kinetic parameters on modeling reaction pathways in GaN MOVPE growth
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017, 卷号: 478, 页码: 193-204
作者:
Zhang, Hong[1]
;
Zuo, Ran[2]
;
Zhang, Guoyi[3]
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/24
Growth models
GaN
Gas reactions
Numerical modeling
Effects of reaction-kinetic parameters on modeling reacting pathways in GaN MOVPE growth
期刊论文
Zhongguo Kexue Jishu Kexue/Scientia Sinica Technologica, 2017, 卷号: 47, 期号: 6, 页码: 605-617
-
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/24
Different variation behaviors of resistivity for high-temperature-grown and low-temperature-grown p-GaN films
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 2
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Liu, ZS
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2017/03/11
Off-state electrical breakdown of AlGaN/GaN/Ga(Al)N HEMT heterostructure grown on Si(111)
期刊论文
AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3
作者:
Li, SM(李水明)
;
Zhou, Y(周宇)
;
Gao, HW(高宏伟)
;
Dai, SJ(戴淑君)
;
Yu, GH(于国浩)
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2017/03/11
Morphological dependent Indium incorporation in InGaN/GaN multiple quantum wells structure grown on 4 degrees misoriented sapphire substrate
期刊论文
AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3
作者:
Jiang, T
;
Xu, SR
;
Zhang, JC
;
Li, PX
;
Huang, J(黄俊)
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2017/03/11
Electrochemical fabrication and interfacial charge-transfer process of Ni/GaN(0001) electrodes
期刊论文
PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2016, 卷号: 18, 期号: 8
作者:
Qin, SJ(秦双娇)
;
Peng, F(彭飞)
;
Chen, XQ(陈雪晴)
;
Pan, GB(潘革波)
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2017/03/11
Quantum Chemistry Study on the Adduct Reaction Paths as Functions of Temperature in GaN/AlN MOVPE Growth
期刊论文
ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 卷号: 5, 期号: 12, 页码: P667-P673
作者:
Zuo, Ran[1]
;
Zhang, Hong[2]
;
Wang, Bao-liang[3]
;
Meng, Su-ci[4]
;
Chen, Peng[5]
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/24
Growth of In As nanowires with the morphology and crystal structure controlled by carrier gas flow rate
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015
Li, Ming
;
Wang, Jingyun
;
Li, Kan
;
Xing, Yingjie
;
Xu, H. Q.
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/12/03
Crystal morphology
Low dimensional structures
Nanostructures
Growth from vapor
Nanomaterials
Semiconducting III-V material
III-V NANOWIRES
INAS NANOWIRES
SEMICONDUCTOR NANOWIRES
SUPERLATTICES
SUPERCURRENT
SILICON
SI(111)
INDIUM
MOVPE
GAAS
AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on High-quality AlN template using MOVPE
期刊论文
journal of crystal growth, 2015, 卷号: 414, 页码: 254–257
Jianchang Yan
;
Junxi Wang
;
Yun Zhang
;
Peipei Cong
;
Lili Sun
;
Yingdong Tian
;
Chao Zhao
;
Jinmin Li
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2016/04/15
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