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半导体研究所 [21]
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期刊论文 [14]
会议论文 [7]
发表日期
2017 [1]
2016 [1]
2015 [1]
2014 [1]
2011 [1]
2009 [1]
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学科主题
半导体物理 [21]
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共21条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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Type-I Ca(OH)2/a-MoTe2 vdW heterostructure for ultraviolet optoelectronic device applications: electric field effects
期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2017, 卷号: 5, 页码: 12629--12634
作者:
Qiang Gao
;
Congxin Xia
;
Wenqi Xiong
;
Juan Du
;
Tianxing Wang
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2018/06/15
Self-catalyzed molecular beam epitaxy growth and their optoelectronic properties of vertical GaAs nanowires on Si(111)
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2016, 卷号: 52, 页码: 68-74
Lichun Zhang
;
XuewenGeng
;
GuoweiZha
;
JianxingXu
;
SihangWei
;
BenMa
;
Zesheng Chen
;
XiangjunShang
;
HaiqiaoNi
;
ZhichuanNiu
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2017/03/10
Interlayer coupling and optoelectronic properties of ultrathin two-dimensional heterostructures based on graphene, MoS2 and WS2
期刊论文
journal of materials chemistry c, 2015, 卷号: 3, 期号: 21, 页码: 5467-5473
Nengjie Huo
;
Zhongming Wei
;
Xiuqing Meng
;
Joongoo Kang
;
Fengmin Wu
;
Shu-Shen Li
;
Su-Huai Wei
;
Jingbo Li
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2016/03/29
Novel and Enhanced Optoelectronic Performances of Multilayer MoS2-WS2 Heterostructure Transistors
期刊论文
advanced functional materials, 2014, 卷号: 24, 期号: 44, 页码: 7025-7031
Huo, Nengjie
;
Kang, Jun
;
Wei, Zhongming
;
Li, Shu-Shen
;
Li, Jingbo
;
Wei, Su-Huai
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2015/03/20
First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires
期刊论文
journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191
作者:
Li JB
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浏览/下载:100/6
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提交时间:2011/07/05
Twinned SiC nanowires
Electronic properties
Ab initio
Modeling and simulation
SILICON-CARBIDE NANOWIRES
FIELD-EMISSION PROPERTIES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INAS NANOWIRES
GROWTH
NANOTUBES
NITRIDE
DIFFUSION
NANORODS
ENERGY
GaAs-Based Metamorphic Long-Wavelength InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 067801
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/03/08
MU-M
LASER
ISLANDS
Design of shallow acceptors in ZnO: First-principles band-structure calculations
期刊论文
physical review b, 2006, 卷号: 74, 期号: 8, 页码: art.no.081201
Li J (Li Jingbo)
;
Wei SH (Wei Su-Huai)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Xia JB (Xia Jian-Bai)
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/04/11
P-TYPE ZNO
TOTAL-ENERGY CALCULATIONS
WAVE BASIS-SET
II-VI
ROOM-TEMPERATURE
THIN-FILMS
SEMICONDUCTORS
FABRICATION
DEFECTS
DEVICES
Theoretical analysis of the bandgap for the intermixed GaInP/AlGaInP quantum wells
会议论文
conference on semiconductor and organic optoelectronic materials and devices, beijing, peoples r china, nov 09-11, 2004
Xu Y
;
Zhu XP
;
Song GF
;
Cao Q
;
Guo L
;
Li YZ
;
Chen LH
收藏
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浏览/下载:164/42
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提交时间:2010/03/29
quantum well intermixing
Calculation of valence subband structures for strained GaInP/AlGaInP quantum wells without axial approximation
会议论文
conference on semiconductor and organic optoelectronic materials and devices, beijing, peoples r china, nov 09-11, 2004
Xu Y
;
Zhu XP
;
Gan QQ
;
Song GF
;
Cao Q
;
Guo, L
;
Li YZ
;
Chen LH
收藏
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浏览/下载:575/277
  |  
提交时间:2010/03/29
valence band mixing
Transport properties through quantum dot in a vertical electric field
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2003, 卷号: 17, 期号: 1-4, 页码: 147-148
Li SS
;
Xia JB
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dot
transport
electric field
HOLE TRANSPORT
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