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Monolithic WDM VCSEL arrays by quantum well intermixing 专利
专利号: US10050414, 申请日期: 2018-08-14, 公开日期: 2018-08-14
作者:  MATHAI, SAGI VARGHESE;  TAN, MICHAEL RENNE TY
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Monolithic WDM vcsels with spatially varying gain peak and fabry perot wavelength 专利
专利号: WO2016195695A1, 申请日期: 2016-12-08, 公开日期: 2016-12-08
作者:  MATHI, SAGI;  TAN, MICHAEL RENNE TY
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Fabrication of an electro-absorption modulated distributed feedback laser by quantum well intermixing with an etching ion-implantation buffer layer 期刊论文
chinese optics letters, 2015, 卷号: 13, 期号: 8, 页码: 081301
Liangshun Han; Song Liang; Hongliang Zhu; Wei Wang
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Red-shift in the InGaAsP/GaInP active region using impurity free vacancy diffusion induced quantum well intermixing 期刊论文
2015, 卷号: 644, 页码: 398-403
作者:  Lin, Tao;  Zhang, Haoqing;  Sun, Ruijuan;  Duan, Yupeng;  Lin, Nan
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Study of N ions implantation induced quantum well intermixing in GaInP/AlGaInP quantum well structures 期刊论文
2015, 卷号: 650, 页码: 336-341
作者:  Lin, Tao;  Zhang, Haoqing;  Guo, Enmin;  Sun, Ruijuan;  Duan, Yupeng
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QWI  Laser diode  Blue-shift  AFM  XPS  
Impurity free vacancy diffusion induced quantum well intermixing based on hafnium dioxide films 期刊论文
2015, 卷号: 29, 页码: 150-154
作者:  Lin, Tao;  Zhang, Haoqing;  Sun, Hang;  Yang, Chen;  Lin, Nan
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High power laser diode with non-absorbing windows fabricated by quantum well intermixing 会议论文
2013-01-01
作者:  Lin, T.;  Zhang, H.Q.;  Li, C.;  Ma, X.J.;  Lin, N.
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Theoretical analysis of the inter-diffusion coefficients in the AlGaInP material quantum well intermixing 期刊论文
2013, 卷号: 16, 页码: 738-741
作者:  Lin, T.;  Chen, R.G.;  Zhang, H.Q.;  Li, C.;  Ma, X.J.
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Laser diodes comprising QWI output window and waveguide areas and methods of manufacture 专利
专利号: US8198112, 申请日期: 2012-06-12, 公开日期: 2012-06-12
作者:  CHANG, CHWAN-YANG;  CHEN, CHIEN-CHIH;  HU, MARTIN HAI;  NGUYEN, HONG KY;  ZAH, CHUNG-EN
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Multi-wavelength hybrid silicon laser array 专利
专利号: US8111729, 申请日期: 2012-02-07, 公开日期: 2012-02-07
作者:  SYSAK, MATTHEW;  JONES, RICHARD
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