×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [11]
内容类型
期刊论文 [11]
发表日期
2011 [3]
2008 [1]
2006 [1]
2003 [1]
2002 [2]
2000 [2]
更多...
学科主题
半导体材料 [11]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共11条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69
作者:
Song HP
;
Wei HY
;
Li CM
;
Jiao CM
收藏
  |  
浏览/下载:65/4
  |  
提交时间:2011/07/05
CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION
GALLIUM NITRIDE
STRESSES
LAYERS
HETEROSTRUCTURE
DEPOSITION
CONSTANTS
MECHANISM
SAPPHIRE
STRAIN
Comparison of as-grown and annealed GaN/InGaN:Mg samples
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 345101
Deng QW
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yin HB
;
Chen H
;
Lin DF
;
Jiang LJ
;
Feng C
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Hou X
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2012/01/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
BAND-GAP
MG
PHOTOLUMINESCENCE
INGAN
DEPENDENCE
STRAIN
ENERGY
INN
Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467
作者:
Pan X
收藏
  |  
浏览/下载:81/5
  |  
提交时间:2011/07/05
Sandwich structure
Stress
Aluminum nitride
Gallium nitride
Silicon
PHONON DEFORMATION POTENTIALS
WURTZITE ALN
SILICON
STRESS
TRANSISTORS
EPITAXY
LAYERS
Fracture Properties of LPCVD Silicon Nitride and Thermally Grown Silicon Oxide Thin Films From the Load-Deflection of Long Si3N4 and SiO2/Si3N4 Diaphragms
期刊论文
journal of microelectromechanical systems, 2008, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 1120-1134
Yang, JL
;
Gaspar, J
;
Paul, O
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2010/03/08
Bulge test
fracture
pooled Weibull analysis
silicon nitride (Si3N4)
silicon oxide (SiO2)
Influence of dislocation stress field on distribution of quantum dots
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 130-133
作者:
Xu B
收藏
  |  
浏览/下载:55/0
  |  
提交时间:2010/04/11
stress
surface structure
semiconducting III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
STRAIN
THICKNESS
The growth morphologies of GaN layer on Si(111) substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 91-98
Lu YA
;
Liu XL
;
Lu DC
;
Yuan HR
;
Hu GQ
;
Wang XH
;
Wang ZG
;
Duan XF
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2010/08/12
Si(111) substrate
heteroepitaxy
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
LIGHT-EMITTING-DIODES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
NUCLEATION LAYERS
BUFFER LAYER
SILICON
SAPPHIRE
NITRIDE
EPITAXY
STRESS
STRAIN
Strain relaxation of InP film directly grown on GaAs patterned compliant substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 71-76
作者:
Li DB
收藏
  |  
浏览/下载:40/0
  |  
提交时间:2010/08/12
dislocation
strain
molecular beam epitaxy
organometallic vapor phase epitaxy
semiconductor III-V materials
CRITICAL THICKNESS
HETEROEPITAXIAL GROWTH
LAYERS
OXIDATION
EPITAXY
Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 2, 页码: 136-141
作者:
Xu B
收藏
  |  
浏览/下载:44/0
  |  
提交时间:2010/08/12
low dimensional structures
strain
molecular beam epitaxy
quantum dots
ELECTRONIC-STRUCTURE
PHOTOLUMINESCENCE
INTERDIFFUSION
TRANSITIONS
SPECTRA
Hydrogen-dependent lattice dilation in GaN
期刊论文
semiconductor science and technology, 2000, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 619-621
Zhang JP
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Kong MY
收藏
  |  
浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2010/08/12
OPTICAL-PROPERTIES
GALLIUM NITRIDE
SAPPHIRE
EPILAYERS
STRESS
SEMICONDUCTORS
ELECTRONS
SILICON
STRAIN
FILMS
Annealing effect on the surface morphology and photoluminescence of InGaAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 356-359
作者:
Xu B
;
Ye XL
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2010/08/12
rapid thermal annealing
InGaAs/GaAs
quantum dots
molecular beam epitaxy
LUMINESCENCE
FABRICATION
GAAS(100)
INTERFACE
LASER
LAYER
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace