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物理研究所 [8]
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期刊论文 [8]
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2000 [1]
1999 [1]
1997 [1]
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Control performance of a single-chip white light emitting diode by adjusting strain in InGaN underlying layer
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 11
Wang, XH
;
Guo, LW
;
Jia, HQ
;
Xing, ZG
;
Wang, Y
;
Pei, XJ
;
Zhou, JM
;
Chen, H
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/09/17
LASER
Thickness dependence of microstructures in La0.9Sr0.1MnO3 thin films grown on exact-cut. and miscut SrTiO3 substrates
期刊论文
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2008, 卷号: 403, 期号: 12, 页码: 2008
Zhang, HD
;
An, YK
;
Mai, ZH
;
Lu, HB
;
Zhao, K
;
Pan, GQ
;
Li, RP
;
Fan, R
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/09/23
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
LASER
LAYERS
Ion acceleration in the interaction of an intense laser pulse with structured plasma
期刊论文
PHYSICA SCRIPTA, 2008, 卷号: 77, 期号: 6
Bari, MA
;
Chen, M
;
Wang, WM
;
Li, YT
;
He, MQ
;
Sheng, ZM
;
Zhang, J
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2013/09/18
TRIPLE-SOLITON ACCELERATOR
NEUTRON-PRODUCTION
UNDERDENSE PLASMAS
WAVES
TARGETS
Thermal stability of cubic GaN film grown by molecular-beam epitaxy on GaAs(001)
期刊论文
PHYSICS LETTERS A, 2002, 卷号: 299, 期号: 1, 页码: 79
Xu, M
;
Liu, CX
;
Liu, HF
;
Luo, GM
;
Chen, XM
;
Yu, WX
;
Cui, SF
;
Li, JH
;
Chen, H
;
Mai, ZH
;
Zhou, JM
;
Jia, QJ
;
Zheng, WL
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2013/09/23
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
RAMAN-SPECTROSCOPY
PHASE EPITAXY
LASER-DIODES
GAAS
CONDUCTIVITY
PHONONS
One-dimensional growth mechanism of amorphous boron nanowires
期刊论文
CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2002, 卷号: 359, 期号: 3-4, 页码: 273
Wang, YQ
;
Duan, XF
;
Cao, LM
;
Wang, WK
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/09/24
SILICON NANOWIRES
LASER-ABLATION
WIRES
MBE growth and X-ray study of high-quality cubic-GaN on GaAs(001)
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 786
Li, ZQ
;
Chen, H
;
Liu, HF
;
Li, JH
;
Wan, L
;
Liu, S
;
Huang, Q
;
Zhou, JM
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2013/09/18
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
VAPOR-PHASE EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
STIMULATED-EMISSION
THIN-FILMS
001 GAAS
SILICON
MICROSTRUCTURE
SAPPHIRE
Interfacial structure of molecular beam epitaxial grown cubic-GaN films on GaAs(001) probed by x-ray gazing-angle specular reflection
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1999, 卷号: 74, 期号: 20, 页码: 2981
Li, JH
;
Chen, H
;
Cai, LC
;
Cui, SF
;
Yu, WX
;
Zhou, JM
;
Huang, Q
;
Mai, ZH
;
Zheng, WL
;
Jia, QJ
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/09/18
TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPE
VAPOR-PHASE EPITAXY
GAAS
ZINCBLENDE
High resolution x-ray diffraction and scattering measurement of the interfacial structure of ZnTe/GaSb epilayers
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1997, 卷号: 82, 期号: 5, 页码: 2281
Li, CR
;
Tanner, BK
;
Ashenford, DE
;
Hogg, JHC
;
Lunn, B
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2013/09/17
EPITAXIAL MULTILAYERS
RAMAN-SPECTROSCOPY
HETEROSTRUCTURES
DEFECTS
SURFACE
DISLOCATIONS
RELAXATION
GROWTH
GA2TE3
SCALE
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