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| 基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法 专利
专利号: CN106058639B, 申请日期: 2019-01-18, 公开日期: 2019-01-18
作者: 许俊杰; 梁松; 朱洪亮
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| 电注入长波长硅基纳米激光器阵列的外延材料制备方法 专利
专利号: CN108418095A, 申请日期: 2018-08-17, 公开日期: 2018-08-17
作者: 王俊; 胡海洋; 成卓; 杨泽园; 尹海鹰
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 基于选区外延技术的单片集成阵列波导光栅与单载流子探测器的端对接设计 期刊论文
Acta Physica Sinica, 2017, 卷号: 66, 页码: 158502
作者: 叶焓; 韩勤; 吕倩倩; 潘盼; 安俊明
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2018/07/09 |
| 基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
李士颜
收藏 | 浏览/下载：86/0 | 提交时间：2016/06/02
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| 硅基锗薄膜选区外延生长研究 期刊论文
2015
汪建元; 王尘; 李成; 陈松岩
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2016/05/17
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| 硅基高迁移率III-V族半导体材料与晶体管研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2014
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收藏 | 浏览/下载：297/0 | 提交时间：2016/11/06
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| 可调谐电吸收调制分布布拉格反射激光器的制作方法 专利
专利号: CN1937335A, 申请日期: 2007-03-28, 公开日期: 2007-03-28
作者: 赵玲娟; 张靖; 王圩
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 窄条选区外延技术研制AlGaInAs MQW DFB BH 激光器 学位论文
博士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
冯文
收藏 | 浏览/下载：82/7 | 提交时间：2009/04/13 |
| 选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器 期刊论文
中国激光, 2001, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 321
作者: 朱洪亮 ; 王圩
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2010/11/23 |
| 基于选区外延技术的单片集成阵列波导光栅与单载流子探测器的端对接设计 期刊论文
华中师范大学学报(自然科学版), 1997, 卷号: 66, 期号: 02, 页码: 158502-1-158502-11
作者: 黄翔; 谭传凤; 宋玉蓉
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/23
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