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Two-dimensional material plasmonic laser 专利
专利号: US10348058, 申请日期: 2019-07-09, 公开日期: 2019-07-09
作者:  GWO, SHANG-JR;  WANG, CHUN-YUAN
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非挥发性阻变存储器件及其制备方法 专利
专利号: US10134983, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2016-08-11
作者:  刘琦;  刘明;  孙海涛;  张科科;  龙世兵
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Diamond particle mololayer heat spreaders and associated methods 专利
专利号: US8531026, 申请日期: 2013-09-10, 公开日期: 2013-09-10
作者:  SUNG, CHIEN-MIN
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Lasers with quantum wells having high indium and low aluminum with barrier layers having high aluminum and low indium with reduced traps 专利
专利号: WO2012125997A3, 申请日期: 2013-01-03, 公开日期: 2013-01-03
作者:  JOHNSON, RALPH, H.;  TATUM, JIMMY, ALAN;  MACINNES, ANDREW, N.;  WADE, JEROME, K.;  GRAHAM, LUKE, A.
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Growing smooth semiconductor layers 专利
专利号: US20050221624A1, 申请日期: 2005-10-06, 公开日期: 2005-10-06
作者:  AKIYAMA, HIDEFUMI;  PFEIFFER, LOREN NEIL;  WEST, KENNETH WILLIAM;  YOSHITA, MASAHIRO
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Method of making a semiconductor device having a non-alloyed ohmic contact to a buried doped layer 专利
专利号: US6258616, 申请日期: 2001-07-10, 公开日期: 2001-07-10
作者:  CUNNINGHAM, JOHN EDWARD;  GOOSSEN, KEITH WAYNE
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Method for producing II-VI compound semiconductor epitaxial layers having low defects 专利
专利号: US6001669, 申请日期: 1999-12-14, 公开日期: 1999-12-14
作者:  GAINES, JAMES MATTHEW;  PETRUZZELLO, JOHN
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Method for fabricating a semiconductor laser device in which the P-type clad layer and the active layer are grown at different rates 专利
专利号: US5190891, 申请日期: 1993-03-02, 公开日期: 1993-03-02
作者:  YOKOTSUKA, TATSUO;  TAKAMORI, AKIRA;  NAKAJIMA, MASATO;  SUZUKI, TOMOKO
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Method of passivating etched mirror facets of semiconductor laser diodes 专利
专利号: US5177031, 申请日期: 1993-01-05, 公开日期: 1993-01-05
作者:  BUCHMANN, PETER L.;  WEBB, DAVID J.;  VETTIGER, PETER
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Method of in situ photo induced evaporation enhancement of compound thin films during or after epitaxial growth 专利
专利号: US4962057, 申请日期: 1990-10-09, 公开日期: 1990-10-09
作者:  EPLER, JOHN E.;  TREAT, DAVID W.;  PAOLI, THOMAS L.
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