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半导体研究所 [559]
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Adjustment of Al atom migration ability and its effect on the surface morphology of AlN grown on sapphire by metal–organic chemical vapor deposition
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 36, 期号: 10, 页码: 105010
作者:
Zhang, Yuheng
;
Yang, Jing
;
Zhao, Degang
;
Liang, Feng
;
Chen, Ping
;
Liu, Zongshun
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2022/03/28
Horizontal GaN nanowires grown on Si (111) substrate: the effect of catalyst migration and coalescence
期刊论文
Nanotechnology, 2019, 卷号: 30, 期号: 4, 页码: 045604
作者:
Shaoteng Wu
;
Liancheng Wang
;
Zhiqiang Liu
;
Xiaoyan Yi
;
Yunyu Wang
;
Cheng Cheng
;
Chen Lin
;
Tao Feng
;
Shuo Zhang
;
Tao Li
;
Tongbo Wei
;
Jianchang Yan
;
Guodong Yuan
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2019/11/19
Atomic Mechanism of Interfacial-Controlled Quantum Efficiency and Charge Migration in InAs/GaSb Superlattice
期刊论文
ACS Applied Materials & Interfaces, 2017, 卷号: 9, 页码: 26642−26647
作者:
Han Bi
;
Xi Han
;
Lu Liu
;
Yunhao Zhao
;
Xuebing Zhao
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2018/06/15
An integrated method for cell isolation and migration on a chip
期刊论文
ScientificReports, 2017, 卷号: 7, 页码: 8963
作者:
Xiaoqing Lv
;
Zhaoxin Geng
;
Zhiyuan Fan
;
Shicai Wang
;
WeiHua Pei
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2018/07/02
Adsorbate migration effects on continuous and discontinuous temperature-dependent transitions in the quality factors of graphene nanoresonators
期刊论文
nanotechnology, 2014, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 025501
Jiang, JW
;
Wang, BS
;
Park, HS
;
Rabczuk, T
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2015/03/25
Growth simulations of self-assembled nanowires on stepped substrates
期刊论文
Ieee journal of selected topics in quantum electronics, 2011, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 960-965
作者:
Liang, Song
;
Kong, Duanhua
;
Zhu, Hongliang
;
Wang, Wei
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Kinetic monte carlo (kmc) simulations
Self-assembled nanowires
Stepped substrates
Origin of the low thermal conductivity of the thermoelectric material beta-zn4sb3: an ab initio theoretical study
期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 24, 页码: 3
作者:
Chen, Weibing
;
Li, Jingbo
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Effects of ultra-low al alloying in(al) as layer on the formation and evolution of inas/gaas quantum dots
期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: 6
作者:
Zhou, X. L.
;
Chen, Y. H.
;
Li, T. F.
;
Zhou, G. Y.
;
Zhang, H. Y.
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Vls growth of siox nanowires with a stepwise nonuniformity in diameter
期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: 5
作者:
Huang, Shengli
;
Wu, Yan
;
Zhu, Xianfang
;
Li, Lunxiong
;
Wang, Zhanguo
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
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