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Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation 期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016
Li H; Zhou K; Pang JB; Shao YD; Wang Z; Zhao YW
收藏  |  浏览/下载：52/10  |  提交时间：2011/07/05
Annealing study of carrier concentration in gradient-doped GaAs/GaAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
applied optics, 2009, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1715-1720
Zhang YJ; Chang BK; Yang Z; Niu J; Xiong YJ; Shi F; Guo H; Zeng YP
收藏  |  浏览/下载：65/25  |  提交时间：2010/03/08
Microdefects and electrical uniformity of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7
Dong ZY; Zhao YW; Zeng YP; Duan ML; Sun WR; Jiao JH; Lin LY
收藏  |  浏览/下载：351/16  |  提交时间：2010/08/12
Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 2, 页码: 136-141
作者:  Xu B
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12
Carbonization process of Si(100) by ion-beam bombardment 期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 3, 页码: 446-450
Liao MY; Chai CL; Yao ZY; Yang SY; Liu ZK; Wang ZG
收藏  |  浏览/下载：83/8  |  提交时间：2010/08/12
Effect of rapid thermal annealing on InGaAs/GaAs quantum wells 期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 352-355
Zhuang QD; Li JM; Zeng YP; Yoon SF; Zheng HQ; Kong MY; Lin LY
收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12
Annealing behavior of InAs/GaAs quantum dot structures 期刊论文
journal of electronic materials, 1998, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 59-61
Wang ZM; Feng SL; Lu ZD; Zhao Q; Yang XP; Chen ZG; Xu ZY; Zheng HZ
收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12
A NEW METHOD FOR MEASURING THE EFFECTIVE DIFFUSION CONSTANT OF 2-DIMENSIONAL ELECTRONS IN THE PRESENCE OF MAGNETIC-FIELDS 期刊论文
surface science, 1992, 卷号: 263, 期号: 0, 页码: 167-171
HUA S; ZHENG HZ; LI YX
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