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Wavelength conversion member and light emitting device 专利
专利号: US10320147, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
作者:  TAKAHIRA, YOSHIYUKI;  TAKAHASHI, KOJI;  KAWAGUCHI, YOSHINOBU;  ANNEN, KAZUNORI;  MAEMURA, YOSUKE
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Podłoże do wzrostu epitaksjalnego 专利
专利号: PL224995B1, 申请日期: 2016-08-11, 公开日期: 2017-02-28
作者:  PERLIN PIOTR;  SARZYŃSKI MARCIN;  SUSKI TADEUSZ;  CZERNECKI ROBERT;  LESZCZYŃSKI MICHAŁ
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Scribe etch process for semiconductor laser chip manufacturing 专利
专利号: US9356422, 申请日期: 2016-05-31, 公开日期: 2016-05-31
作者:  ANSELM, KLAUS ALEXANDER;  BIKKY, RAJESH;  HU, STEPHEN;  PICKRELL, GREG;  SULTANA, NAHID
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Semiconductor light emitting chip and method for processing substrate 专利
专利号: US8836086, 申请日期: 2014-09-16, 公开日期: 2014-09-16
作者:  HIRAIWA, DAISUKE;  OKABE, TAKEHIKO
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Structures formed using monocrystalline silicon and/or other materials for optical and other applications 专利
专利号: WO2013106285A3, 申请日期: 2013-09-26, 公开日期: 2013-09-26
作者:  KOSENKO, VALENTIN;  MCBAIN, EDWARD LEE;  UZOH, CYPRIAN EMEKA;  MONADGEMI, PEZHMAN;  SAVASTIOUK, SERGEY
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Nitride semiconductor light-emitting device 专利
专利号: US8437376, 申请日期: 2013-05-07, 公开日期: 2013-05-07
作者:  YOSHIDA, SHINJI;  ORITA, KENJI;  HASEGAWA, YOSHIAKI;  MOCHIDA, ATSUNORI
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Al(x)Ga(1-x)N-cladding-free nonpolar III-nitride based laser diodes and light emitting diodes 专利
专利号: US8211723, 申请日期: 2012-07-03, 公开日期: 2012-07-03
作者:  FEEZELL, DANIEL F.;  SCHMIDT, MATHEW C.;  KIM, KWANG-CHOONG;  FARRELL, ROBERT M.;  COHEN, DANIEL A.
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Method of zinc oxide film grown on the epitaxial lateral overgrowth gallium nitride template 专利
专利号: US7951639, 申请日期: 2011-05-31, 公开日期: 2011-05-31
作者:  CHUA, SOON JIN;  ZHOU, HAILONG;  LIN, JIANYI;  PAN, HUI
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Method of zinc oxide film grown on the epitaxial lateral overgrowth gallium nitride template 专利
专利号: SG147120A1, 申请日期: 2011-04-29, 公开日期: 2008-11-28
作者:  CHUA, SOO JIN;  ZHOU, HAILONG;  LIN, JIANYI;  PAN, HUI
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A method of producing a gallium nitride-type light emitting semiconductor device 专利
专利号: EP1804305A1, 申请日期: 2007-07-04, 公开日期: 2007-07-04
作者:  MOTOKI, KENSAKU
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