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半导体研究所 [22]
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期刊论文 [16]
会议论文 [6]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2005 [1]
2003 [3]
2002 [4]
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学科主题
半导体材料 [22]
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学科主题:半导体材料
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Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.48102
作者:
Pan X
;
Hou QF
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浏览/下载:83/7
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提交时间:2011/07/05
ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS
AL-CONTENT
STRESS-CONTROL
PHASE EPITAXY
ALGAN
BUFFER
LAYERS
HETEROSTRUCTURES
INTERLAYERS
SILICON
Determination of MgO/AlN heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy (vol 94, 052101, 2009)
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 12, 页码: art. no. 129901
作者:
Wei HY
;
Song HP
;
Jiao CM
收藏
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浏览/下载:379/108
  |  
提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
core levels
III-V semiconductors
magnesium compounds
semiconductor heterojunctions
semiconductor-insulator boundaries
X-ray photoelectron spectra
Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111)
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299
Wu, JJ
;
Zhao, LB
;
Zhang, GY
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
;
Jia, QJ
;
Guo, LP
;
Hu, TD
收藏
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浏览/下载:65/3
  |  
提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
TEMPERATURE ALN INTERLAYERS
PHASE EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
SURFACTANT
SUBSTRATE
STRESS
SI
REDUCTION
SAPPHIRE
Silica and alumina thin films grown by liquid phase deposition
期刊论文
pricm 5: the fifth pacific rim international conference on advanced materials and processing, 2005, 卷号: pts 1-5, 期号: 475-479, 页码: 1725-1728
Sun, J
;
Hu, LZ
;
Wang, ZY
;
Du, GT
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/03/17
silica
alumina
liquid phase deposition
semiconductors
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
DIOXIDE FILMS
OXIDE-FILMS
The growth morphologies of GaN layer on Si(111) substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 91-98
Lu YA
;
Liu XL
;
Lu DC
;
Yuan HR
;
Hu GQ
;
Wang XH
;
Wang ZG
;
Duan XF
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/08/12
Si(111) substrate
heteroepitaxy
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
LIGHT-EMITTING-DIODES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
NUCLEATION LAYERS
BUFFER LAYER
SILICON
SAPPHIRE
NITRIDE
EPITAXY
STRESS
STRAIN
Structural and optical properties of InAlGaN films grown directly on low-temperature buffer layer with (0001)sapphire substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 72-77
作者:
Li DB
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/08/12
nanostructures
stretched exponential
time-resolved photolummescence
metalorganic vapor phase epitaxy
nitrides
InAlGaN
INXALYGA1-X-YN QUATERNARY ALLOYS
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
ALINGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
GAN
DECAY
LUMINESCENCE
SAPPHIRE
DEVICES
SILICON
Fabrication of novel double-hetero-epitaxial SOT structure Si/gamma-Al2O3/Si
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 3-4, 页码: 255-260
Tan LW
;
Wang QY
;
Wang J
;
Yu YH
;
Liu ZL
;
Lin LY
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/08/12
heteroepitaxial growth
gamma-Al2O3
silicon
silicon on insulator
FILMS
SI
DEPOSITION
AL2O3
Investigation of GaN layer grown on Si(111) substrate using an ultrathin AlN wetting layer
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 77-84
作者:
Han PD
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浏览/下载:74/5
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提交时间:2010/08/12
substrates
heteroepitaxy
metalorganic chemical vapor deposition
gallium compounds
nitrides
INTERMEDIATE LAYER
EPITAXIAL-GROWTH
SILICON
SAPPHIRE
FILM
In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD
期刊论文
silicon carbide and related materials 2001 pts 1 and 2 proceedings, 2002, 卷号: 389-3, 期号: 0, 页码: 339-342
Sun GS
;
Luo MC
;
Wang L
;
Zhu SR
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
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浏览/下载:78/0
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提交时间:2010/08/12
3C-SiC
in-situ doping
low-pressure CVD
sapphire substrate
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
COMPETITION EPITAXY
Heteroepitaxial growth of novel SOI material Si/gamma-Al2O3/Si
会议论文
symposium on silicon-based heterostructure materials held at the 8th iumrs international conference on electronic materials (iumrs-icem2002), xian, peoples r china, jun 10-14, 2002
Wang QY
;
Tan LW
;
Wang J
;
Yu YH
;
Lin LY
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
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